采用高能电磁辐射的快速热处理半导体衬底形成介电层的方法

摘要

一种如SONOS单元的半导体器件的制造方法。所述方法包括提供具有表面区域的半导体衬底(例如硅片、绝缘体上硅)，所述表面区域上具有自然氧化物层。所述方法包括采用湿法清洗工艺处理表面区域以去除表面区域上的自然氧化物层。在一个具体的实施例中，所述方法包括使表面区域处于含氧环境中，并对表面区域进行高能电磁辐射，所述高能电磁辐射波长范围为约300纳米至约800纳米，辐射时间小于10毫秒，使表面区域的温度升高至超过1000摄氏度。在一个具体的实施例中，所述方法使形成厚度小于10埃的氧化物层。在一个优选的实施例中，所述氧化物层基本上没有针孔和其他缺陷。在一个具体的实施例中，所述氧化物层是栅氧化物层。

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路以及制造半导体器件的工艺。特别地，本发明提供了一种处理半导体衬底表面区域以生长MOS晶体管器件的介电材料的的方法，但是应该认识到，本发明的适用范围要广泛得多。

背景技术

集成电路已经将在单个硅片上制造的互连器件由几个发展到数百万个。目前，集成电路所提供的性能及复杂程度已远远超过了最初所想象的。为了提高复杂度和电路密度(即，在给定的芯片面积上能够封装的器件数量)，最小的特征尺寸，也就是公知的器件“几何形状”，已经随着集成电路的发展变得更小。

增加电路密度不仅提高了集成电路的复杂度和性能，而且为用户提供了较低的成本。一套集成电路生产设备可能要花费几亿甚至几十亿美元。每个生产设备都有一定的晶片生产量，而且每个晶片上都要有一定数量的集成电路。因此，通过把一个集成电路上的各个器件做得更小，就可以在每一个晶片上做更多的器件，这样可以增加生产设备的产量。使器件变小是一件非常具有挑战性的事，因为在集成电路制造的每一个工艺流程都有限制。也就是说，一个给定的工艺都有一个特征尺寸的下限，一旦低于这个下限，制造工艺或者器件的版图就需要修改。另外，随着对器件的速度要求越来越高，制造工艺的限制也与现有的工艺以及材料有关。

一个基于给定特征尺寸限制工艺的例子是MOS晶体管器件的介电材料的形成。这种介电材料经常形成用于设计规则为90纳米或更小的器件。这些介电材料，包括二氧化硅，经常形成用于MOS晶体管器件的栅绝缘层或者存储器结构，比如硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存储单元。遗憾的是，利用现有技术通常难以形成高质量的氧化材料。也就是说，随着器件尺寸的变小，制作每一种这些介电材料出现了困难。本说明书并且更具体地在下面将更详细地介绍现有介电结构的这些以及其他局限。

综上所述，需要一种加工半导体器件的改进方法。

发明内容

根据本发明，提供了制造半导体器件的加工集成电路的技术。更特别地，本发明提供了一种采用高能电磁辐射的快速热处理半导体衬底形成介电层的方法，但是应该认识到，本发明的适用范围要广泛得多。

在一个具体的实施例中，本发明提供了一种半导体器件的方法，如SONOS。所述方法包括提供具有表面区域的半导体衬底(例如：硅晶片，绝缘体上硅)，所述表面区域具有自然氧化物层。所述方法包括采用湿法清洗工艺处理表面区域以去除表面区域上的自然氧化物层。在一个具体的实施例中，所述方法包括使表面区域处于含氧环境中，并对表面区域进行高能电磁辐射，所述高能电磁辐射的波长范围为约300纳米至约800纳米，辐射时间小于10毫秒，使表面区域的温度升高至超过1000摄氏度。在一个具体的实施例中，所述方法使形成厚度小于10埃的氧化物层。在一个优选的实施例中，所述氧化物层基本上无针孔和其他缺陷。在一个具体的实施例中，所述氧化物层是栅氧化物层。可选地，所述方法包括去除高能电磁辐射以使温度在约1秒或者更少的时间内下降约300到约600摄氏度。

在一个可替代的具体的实施例中，本发明提供了一种制造半导体器件的方法，如SONOS。所述方法包括提供具有表面区域的半导体衬底(例如：硅晶片，绝缘体上硅)，所述半导体衬底表面区域具有自然氧化物层。在一个具体的实施例中，本方法包括采用湿法清洗工艺处理表面区域以去除表面区域上的自然氧化物层。在一个具体的实施例中，本方法还包括使表面区域处于含氧环境中，并对表面区域进行高能电磁辐射，所述高能电磁辐射的波长范围为约300纳米至约800纳米，辐射时间小于10毫秒，使表面区域的温度升高至超过1000摄氏度以使形成厚度小于10埃的氧化物层。在一个优选的实施例中，所述氧化物层基本上没有针孔和其他缺陷。在一个具体的实施例中，所述方法包括形成覆盖于氧化物层上的氮化物层；形成覆盖于氮化物层上的氧化物层以提供氧化物层-氮化物-氧化物层堆叠结构。在一个优选的实施例中，所述方法还包括形成覆盖于氧化物层-氮化物-氧化物层堆叠结构上的栅结构(如控制栅)。

通过本发明可以获得很多胜过传统技术的益处。比如，本技术提供了一种依赖于现有技术的容易使用的工艺。在一些实施例中，所述方法提供了每个晶片上的芯片中更高的器件良率。另外，本方法提供了与现有工艺技术相兼容的工艺，无需对现有设备和工艺进行实质性的修改。更适宜地，在一个具体的实施例中，本发明提供了一种快速热处理工艺，减少了集成电路器件的热预算。依赖于该实施例，可以获得一个或多个益处。本说明书和下文将更详细地介绍这些以及其他益处。

本技术方案采用电磁波辐射的方法对衬底表面区域进行加热，使表面区域的温度在不到10毫秒的时间内超过1000摄氏度。在1000摄氏度高温下，表面区域所生成的氧化物层比较致密，质量比较高。同时，由于辐射加热的时间比较短，在衬底表面区域生成的氧化物层厚度可以做得比较薄，能够满足如今高性能器件对氧化物层厚度的需求。

本技术方案采用电磁波辐射的方法对衬底表面区域进行加热，然后再停止辐射，使衬底表面区域的温度在1秒钟或者不到1秒钟的时间内下降大约300至600摄氏度。由于温度下降得非常快，可以避免衬底表面区域在700至800摄氏度范围内的低温氧化反应(所述低温氧化反应所生成的氧化物层的质量相对较差)，进一步保证了生成氧化物层的质量。

参考详细的说明书和随后的附图可以更完整地理解本发明的各个附加的目的、特征和优点。

附图说明

图1是根据本发明的一个实施例的快速热处理工艺的简化流程示意图；

图2和图3是根据本发明的一个实施例的快速热处理工艺去除污染物的简化示意图；

图4是根据本发明一个可替代的实施例的一种快速热处理工艺的可替代的方法的简化流程示意图；

图5至图8是根据本发明的一个实施例的采用快速热处理方法制造集成电路器件的简化示意图。

具体实施方式

根据本发明，提供了制造半导体器件的加工集成电路的技术。更特别地，本发明提供了一种采用高能电磁辐射的快速热处理半导体衬底形成介电层的方法，但是应该认识到，本发明的适用范围要广泛得多。

参考图1，在一个具体的实施例中，本发明提供了一种处理表面区域形成介电材料的方法100，包括如下步骤：

1.步骤101：开始工艺；

2.步骤103：提供具有表面区域的半导体衬底(例如：硅晶片，绝缘体上硅)，所述表面区域具有自然氧化物层；

3.步骤105：采用湿法清洗工艺处理表面区域以去除表面区域的自然氧化物层；

4.步骤107：使表面区域处于含氧环境中；

5.步骤109：(在一个优选的实施例中与第4步同时进行)对表面区域进行高能电磁辐射，所述高能电磁辐射的波长范围为约300纳米至约800纳米，辐射时间小于10毫秒，使表面区域的温度升高至超过1000摄氏度；

6.步骤111：使形成厚度小于10埃的氧化物层，所述氧化物层基本上无针孔和其他缺陷；

7.步骤113：去除高能电磁辐射，在约1秒或者更少的时间内使温度下降约300至约600摄氏度；

8.步骤115：进行其他所需步骤；

9.步骤117：继续其他步骤；

10.步骤119：停止。

根据本发明的一个实施例，上述步骤提供了一种方法。如图所示，所述方法使用了包括形成集成电路器件一整套步骤，比如CMOS集成电路的MOS器件。如图所示，根据一个具体实施例，所述方法包括使用快速热处理工艺形成介电材料。在不脱离本权利要求的范围内，增加几个步骤、减少一个步骤或多个步骤，或者以不同的顺序来安排一个步骤或多个步骤都是可选的方法。本说明书和下文将更详细地介绍本发明方法的更多细节。

图2和图3是根据本发明的一个实施例的快速热处理方法去除污染物的简化示意图。这些图仅是实施例，不应不适当地限制权力要求的范围。本领域的普通技术人员将认识到许多变化、修改和替换。如图所示，本发明提供了一种制造半导体器件的方法，例如SONOS。在一个具体的实施例中，所述方法包括提供具有表面区域201的半导体衬底200(例如：硅晶片，绝缘体上硅)，所述表面区域具有自然氧化物层203。在一个具体的实施例中，自然氧化物层203可以是一层很薄的二氧化硅层或者其他类似的物质。当然，也可以有其他的变化、修改和替换。

在一个具体的实施例中，所述方法包括使用湿法清洗工艺处理表面区域201以去除表面区域201的自然氧化物层203。在一个具体的实施例中，所述湿法处理工艺包括浸入氢氟酸和/或其他基于氟的处理中。在一个优选的实施例中，也可以使用其他湿法清洗工艺。当然，也可以有其他的变化、修改和替换。

在一个具体的实施例中，如简化示意图3所示，所述方法包括使表面区域301处于含氧环境中。在一个具体的实施例中，所述含氧环境可以是氧气、水、水蒸气或者其他合适的种类。在一个具体的实施例中，所述氧气可以与氮气和/或氩气混合。当然，也可以有其他的变化、修改和替换。

继续参考图3，所述方法对表面区域进行高能电磁辐射，所述电磁波的波长范围为约300至约800纳米，辐射时间小于10毫秒，使表面区域温度升高至超过1000摄氏度。。在一个具体的实施例中，所述方法使厚度小于10埃的氧化物层生成。在一个优化的实施例中，所述氧化物层基本上没有针孔和其他缺陷。在一个具体的实施例中，所述辐射可由闪光灯(Flash lamp)、激光(Laser)，或者辐射源产生，比如快速热处理工艺。当然，也可以有其他的变化、修改和替换。

本发明采用电磁波辐射的方法对衬底表面区域进行加热，使表面区域的温度在不到10毫秒的时间内超过1000摄氏度。在1000摄氏度高温下，表面区域所生成的氧化物层比较致密，质量比较高。同时，由于辐射加热的时间比较短，在衬底表面区域生成的氧化物层厚度可以做得比较薄，能够满足如今高性能器件对氧化物层厚度的需求。

在一个具体的实施例中，所述氧化物层为栅氧化物层。也就是说，根据一个具体的实施例，所述栅氧化物层可以大约为80埃或者更小。所述栅氧化物层可以以堆叠形式使用，下文将会更详细地介绍。可选地，所述方法包括去除高能电磁辐射以在约1秒钟或者更少的时间内使温度下降约300至约600摄氏度。在一个具体的实施例中，温度下降非常快，不会引起硅晶片和/或其他结构的破坏。当然，也可以有其他的变化、修改和替换。

本发明采用电磁波辐射的方法对衬底表面区域进行加热，然后再停止辐射，使衬底表面区域的温度在1秒钟或者不到1秒钟的时间内下降大约300至600摄氏度。由于温度下降得非常快，可以避免衬底表面区域在700至800摄氏度范围内的低温氧化反应(所述低温氧化反应所生成的氧化物层的质量相对较差)，进一步保证了生成氧化物层的质量。

根据本发明的一个实施例，上述步骤提供了一种方法。如图所示，所述方法使用了包括形成集成电路器件一整套步骤，比如CMOS集成电路的MOS器件。如图所示，根据一个具体实施例，所述方法包括使用快速热处理工艺形成介电材料。在不脱离本权利要求的范围内，增加几个步骤、减少一个步骤或多个步骤，或者以不同的顺序来安排一个步骤或多个步骤都是可选的方法。本说明书和下文将更详细地介绍本发明方法的更多细节。

参考图4，在一个可替代的具体实施例中，本发明提供了一种制造SONOS半导体器件的方法(400)，包括如下步骤：

1.步骤401：开始；

2.步骤403：提供具有表面区域的半导体衬底(例如：硅晶片，绝缘体上硅)，所述表面区域具有自然氧化物层；

3.步骤405：采用湿法清洗工艺处理表面区域，去除表面区域的自然氧化物层；

4.步骤407：将表面区域置于含氧环境中；

5.步骤409：(在一个优选的实施例中与第4步同时进行)对表面区域进行高能电磁辐射，所述高能电磁辐射的波长范围为约300纳米至约800纳米，辐射时间小于10毫秒，使表面区域的温度升高至超过1000摄氏度；

6.步骤411：使形成厚度小于10埃的氧化物层，所述氧化物层基本上无针孔和其他缺陷；

7.步骤413：去除高能电磁辐射，在约1秒或更少的时间内使温度下降约300至约600摄氏度；

8.步骤415：形成覆盖于氧化物层上的氮化物层；

9.步骤417：形成覆盖于氮化物层上的氧化物层以提供氧化物层-氮化物-氧化物层堆叠结构；

10.步骤419：形成覆盖于氧化物层-氮化物-氧化物层堆叠结构上的栅结构，比如控制栅；

11.步骤421：执行其他所需的步骤；

12.步骤423：继续其他步骤；

13.步骤425：停止。

如图所示，所述方法使用了包括形成集成电路器件一整套步骤，比如CMOS集成电路的MOS器件。如图所示，根据一个具体实施例，所述方法包括使用快速热处理工艺去除和/或减少污染物。在不脱离本权利要求的范围内，增加几个步骤、减少一个步骤或多个步骤，或者以不同的顺序来安排一个步骤或多个步骤都是可选的方法。本说明书和下文将更详细地介绍本发明方法的更多细节。

图5至图8是根据本发明的一个实施例使用快速热处理方法制造集成电路器件的简化方法示意图。这些图仅是实施例，不应不适当地限制权力要求的范围。本领域的普通技术人员将认识到许多变化、修改和替换。如图所示，本发明提供了一种制造半导体器件的方法，比如SONOS。在一个具体的实施例中，所述方法包括提供具有表面区域的半导体衬底500(例如硅晶片、绝缘体上硅)，表面区域具有自然氧化物层501。在一个具体的实施例中，所述自然氧化物层501可以是很薄的二氧化硅层或者其他类似的物质。当然，也可以有其他的变化、修改和替换。

在一个具体的实施例中，所述方法包括使用湿法清洗工艺处理表面区域以去除自然氧化物层501。在一个具体的实施例中，湿法处理工艺可以包括浸入氢氟酸和/或其他含氟的处理液中。在一个优选的实施例中，也可以使用其他湿法清洗工艺。当然，也可以有其他的变化、修改和替换。

在一个具体的实施例中，如简化示意图6所示，所述方法包括使表面区域601处于含氧环境中。在一个具体的实施例中，所述含氧环境可以是氧气、水、水蒸气或者其他合适的种类。在一个具体的实施例中，所述氧气可以与氮气和/或氩气混合。当然，也可以有其他的变化、修改和替换。

继续参考图6，所述方法对表面区域进行高能电磁辐射605中，所述高能电磁辐射605的波长范围为约300至约800纳米，辐射时间小于10毫秒，使表面区域温度升高至超过1000摄氏度。在一个具体的实施例中，所述方法使厚度小于10埃的氧化物层601生成。在一个优化的实施例中，所述氧化物层601基本上没有针孔和其他缺陷。在一个具体的实施例中，所述辐射可由闪光灯(flash lamp)、激光(laser)，或者其他辐射源产生，比如快速热处理工艺。当然，也可以有其他的变化、修改和替换。

本发明采用电磁波辐射的方法对衬底表面区域进行加热，使表面区域的温度在不到10毫秒的时间内超过1000摄氏度。在1000摄氏度高温下，表面区域所生成的氧化物层比较致密，质量比较高。同时，由于辐射加热的时间比较短，在衬底表面区域生成的氧化物层厚度可以做得比较薄，能够满足如今高性能器件对氧化物层厚度的需求。

在一个具体的实施例中，所述氧化物层601为栅氧化物层。也就是说，根据一个具体的实施例，所述栅氧化物层可以为约80埃或者更小。所述栅氧化物层可以以堆叠形式使用，下文将会更详细地介绍。可选地，所述方法包括去除高能电磁辐射以在约1秒钟或者更少的时间内使温度下降约300至约600摄氏度。在一个具体的实施例中，温度下降非常快，不会一起硅晶片和/或其他结构的破坏。当然，也可以有其他的变化、修改和替换。

本发明采用电磁波辐射的方法对衬底表面区域进行加热，然后再停止辐射，使衬底表面区域的温度在1秒钟或者不到1秒钟的时间内下降大约300至600摄氏度。由于温度下降得非常快，可以避免衬底表面区域在700至800摄氏度范围内的低温氧化反应(所述低温氧化反应所生成的氧化物层的质量相对较差)，进一步保证了生成氧化物层的质量。

在一个具体的实施例中，如图7所示，所述方法继续形成氧化物层-氮化物-氧化物层堆叠结构。正如所指出的，该图只是一个实施例，不应不适当地限制权力要求的范围。本领域的普通技术人员将认识到许多变化、修改和替换。在一个具体的实施例中，所述方法形成覆盖于氧化物层701上的氮化物层703。所述方法形成覆盖于氮化物层703上的氧化物层705以提供氧化物层-氮化物-氧化物层堆叠结构。当然，也可以有其他的变化、修改和替换。

参考图8，所述方法形成覆盖于氧化物层809-氮化物811-氧化物层813堆叠结构上的栅极层807。所述方法使用图形化技术形成栅结构，比如控制栅。所述图形化技术可以包括刻蚀和光刻步骤。在一个具体的实施例中，所述方法还在栅结构的边缘形成侧墙间隙壁805，包括ONO堆叠层。依赖于本实施例，所述方法还包括进行其他所需步骤。当然，也可以有其他的变化、修改和替换。

根据本发明的一个实施例，上述步骤提供了一种方法。如图所示，所述方法使用了包括形成集成电路器件一整套步骤，比如CMOS集成电路的MOS器件。如图所示，根据一个具体实施例，所述方法包括使用快速热处理工艺形成介电材料。在不脱离本权利要求的范围内，增加几个步骤、减少一个步骤或多个步骤，或者以不同的顺序来安排一个步骤或多个步骤都是可选的方法。本说明书和下文将更详细地介绍本发明方法的更多细节。

尽管上述以MOS器件为例描述，但也可以有其他的变化、修改以及替换。也应该明白，在此描述的例子和实施例仅用于说明，因此，本技术领域内技术人员技术所做的各种显而易见的修改或变化应包含在本申请的精神和所附权利要求的范围内。

也应该明白，在此描述的例子和实施例仅用于说明，因此，本技术领域内技术人员技术所做的各种显而易见的修改或变化应包含在本申请的精神和所附权利要求的范围内。