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基于GaAs衬底的AlGaInP四元三端电极发光管

摘要

本发明提供了一种基于GaAs衬底的AlGaInP四元三端电极发光管,其管芯结构自上而下依次包括GaP层、P型AlGaInP层、量子阱有源区、N型AlGaInP层、布拉格反射层、GaAs层和GaAs衬底,在GaP层的上面设有P电极,在GaAs层上设有一个台面,该台面上蒸镀有N电极,GaAs衬底上设有基板N电极。本发明在同一面设置P电极和N电极两个电极以及在背面设置基板N电极,形成了具有三端电极的发光管管芯结构,该管芯同面双电极,一正极一负极,在显示屏上把固定焊接底板和导通电源引线两方面分开,同时背面电极也可以做电源电极,对LED在实际应用中起到双保险作用,同时又保证焊线端的质量,避免了焊接不牢引起的导线断路问题。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-05-30

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L33/00 公开日:20091125 申请日:20090619

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2010-01-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-11-25

    公开

    公开

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