首页> 外文OA文献 >Перестройка частоты генерации GaAs/AlGaAs квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона на основе трех квантовых ям при изменении молевого состава коллекторного барьера.

【2h】

Перестройка частоты генерации GaAs/AlGaAs квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона на основе трех квантовых ям при изменении молевого состава коллекторного барьера.

机译：基于三个量子阱调整GaAs / AlGaAs太赫兹量子级联激光器的产生频率，并改变了集电极势垒的摩尔组成。

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

В работе исследуются квантовые каскадные лазеры с активной областью с 3 квантовыми ямами.

机译：我们研究具有3个量子阱的有效区域的量子级联激光器。

著录项

作者
Ушаков Д. В.; Садофьев Ю. Г.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2015
总页数
原文格式 PDF
正文语种 ru
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Transient simulation of AlGaAs/GaAs/AlGaAs and AlGaAs/InGaAs/AlGaAs hot-electron transistors [J] . Kuzuhara M., Kim K. IEEE Transactions on Electron Devices . 1989,第1期

机译：AlGaAs / GaAs / AlGaAs和AlGaAs / InGaAs / AlGaAs热电子晶体管的瞬态仿真
2. AlGaAs and AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates [J] . Cirlin G. E., Reznik R. R., Shtrom I. V, Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal . 2017,第48期

机译：在硅基板上的分子束外延生长AlGaAs和AlgaAs / GaAs / AlgaAs纳米线
3. Manipulation of linear and nonlinear optical properties of GaSb quantum ring in AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well and AlAs/GaAs/InGaAs/AlAs double quantum well [J] . Mohamed Souhail Kehili, Rihab Sellami, Afef Ben Mansour, Optical and quantum electronics . 2020,第6期

机译：AlGaAs / GaAs / Algaas井中GASB量子环的线性和非线性光学性能的操纵，ALAS / GAAS / INGAAS / ALAS双量子阱
4. Characteristics of two-stage Γ-gate on AlGaAs/InGaAs/AlGaAs DH-HEMTs by using AlGaAs/InGaP etching-stop layers [C] . Jia-Chuan Lin, Fu-Xiang Zeng, Jia-Na Wei, International Conference on Advances in Materials and Manufacturing Processes . 2012

机译：采用Algaas / Ingap蚀刻层，使用Algaas / InGaAs / Algaas DH-HEMTS在Algaas / Ingaas / Algaas DH-Hemts上的特征
5. Vertical Integration of Optical Waveguides in the AlGaAs/GaAs Semiconductors [D] . Liao, Zhongfa. 2018

机译：AlGaAs / GaAs半导体中光波导的垂直集成
6. Theoretical study of strain-dependent optical absorption in a doped self-assembled InAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum dot [O] . Tarek A Ameen, Hesameddin Ilatikhameneh, Archana Tankasala, 2018

机译：掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
7. Etude comparative entre les cellules solaires de type udp+-AlGaAs/p-GaAs/n-GaAs et une autre de type n+-AlGaAs/n-GaAs /p-GaAs. [O] . بالي أمينة 2013

机译：ud型太阳能电池的比较研究p + -AlGaAs / p-GaAs / n-GaAs和另一种n + -AlGaAs / n-GaAs / p-GaAs类型。
8. Transient Simulation of AlGaAs/GaAs/AlGaAs and AlGaAs/InGaAs/AlGaAs Hot-Electron Transistors [R] . Hess, K. 1989

机译：alGaas / Gaas / alGaas和alGaas / InGaas / alGaas热电子晶体管的瞬态模拟

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅