利用自对准的双应力膜增强NMOSFET和PMOSFET的性能

摘要

在包括PMOSFET及NMOSFET两者的集成电路中，在使用双应力膜的这两种FETs上，载流子迁移率会增强。通过利用第二应力膜边缘到第一应力膜事先存在边缘的自对准，可消除因具有沿着不同种膜之间边界上两层应力膜的不利影响。在两应力膜之间的边界上，应力膜邻接另一应力膜，但却没有任何应力膜叠覆另一应力膜。通过避免应力膜的叠覆，将施加在MOSFET沟道上的应力最大化。