公开/公告号CN101536191A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-09-16
原文格式PDF
申请/专利权人 爱特梅尔公司;
申请/专利号CN200780040708.8
发明设计人 达尔文·G·伊尼克斯;
申请日2007-10-10
分类号H01L29/12(20060101);H01L21/331(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人孟锐
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 22:44:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-04-20
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/12 公开日:20090916 申请日:20071010
发明专利申请公布后的视为撤回
2009-12-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-09-16
公开
公开
机译: 在绝缘体上提供纳米级高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法
机译: 在绝缘体上提供纳米级高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法
机译: 在绝缘体上提供纳米级高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法