互补型绝缘体上硅(SOI)结式场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，其包括在绝缘体上硅(SOI)晶片上制造的互补型结式场效应晶体管(JFET)。P型JFET包括由n型多晶硅形成的控制栅极(170)，n型JFET包括由p型多晶硅形成的控制栅极(110)。互补型JFET可包括具有形成在沟道区下方的背栅极的四端子JFET。该背栅极可以经由在隔离结构中的切口区电连接到形成在沟道区上方的控制栅极。另外，互补型JFET可以在形成于硅锗(SiGe)层或硅锗碳(SiGeC)层等上面的应变硅上形成。