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MEMS水平谐振式磁强计

摘要

本发明公开了传感器制造技术领域中的一种MEMS水平谐振式磁强计。技术方案是,MEMS水平谐振式磁强计的表头芯片由硅片和玻璃基底组成,硅片通过硅-玻璃阳极键合方式制作在玻璃基底表面;硅片由可动结构和固定结构组成,可动结构包括3个谐振梁和2或4组对称的梳齿电容极板;固定结构包括2或4组固定于玻璃基底的梳齿电容极板;谐振梁上表面制作有SiNx绝缘层;SiNx绝缘层上表面制作有金属导线层;玻璃基底表面制作10个金属极板;金属极板的宽大部分压焊引出10根电容检测导线;金属导线层两侧宽大部分通过压焊引出驱动电流导线。本发明的表头芯片内部结构层次分明,便于加工;并且具有更好的线性度和可扩展性。

著录项

  • 公开/公告号CN101475139A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-07-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN200910077171.3

  • 发明设计人 尤政;胡穆之;杨建中;

    申请日2009-01-19

  • 分类号B81C5/00(20060101);B81B7/02(20060101);G01R33/02(20060101);

  • 代理机构11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司;

  • 代理人童晓琳

  • 地址 100084 北京市100084-82信箱

  • 入库时间 2023-12-17 22:14:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-08-19

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-07-08

    公开

    公开

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