芯片低接触电阻背面金属化工艺方法以及结构

摘要

本发明提供了一种芯片低接触电阻背面金属化结构，其特征在于依次包括硅、金砷、背面金属化金属。所述的背面金属化的金属可以为：钛、镍、银；其中所述的金属钛还可以用钒或铬代替；所述的银还可以用金代替，或者在银上加金。同时本发明还提供了一种芯片低接触电阻背面金属化工艺方法，本发明提供的芯片低接触电阻背面金属化工艺方法简便，可以有效降低产品的碎片等异常，提高作业效率，降低生产成本，同时本发明提供的一种芯片低接触电阻背面金属化结构采用砷合金材料，可以极大的降低成本。