低成本、高适用性共晶装片半导体芯片背面金属化结构

摘要

本实用新型涉及一种低成本、高适用性共晶装片半导体芯片背面金属化结构，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。所述结构是在背面衬底硅片（6）表面按顺序依次镀上第一金属层（1）、第二金属层（2）、第三金属层（3）、第四金属层（4）和第五金属层（5），所述第一金属层（1）是钛、钒或铬，第二金属层（2）是铝，第三金属层（3）是镍，第四金属层（4）是锡、锡铜或锡银，第五金属层（5）是银。本实用新型结构能降低芯片背面金属化成本及提高产品的适用范围，本实用新型可以代替目前所有适用于共晶装片的背面金属化工艺。