一种两次刻蚀单多晶硅的高功率BCD工艺

摘要

一种两次刻蚀单多晶硅的高功率BCD工艺，属于半导体器件及集成电路，具体涉及BCD器件的制造方法。包括衬底预氧、NBL、PBL；外延生长；ISO；Nsink；PCH和NCH注入；栅氧化层生长；PBASE、PBODY1和PBODY2区硼注入；多晶硅参杂；刻出VDMOS以外的多晶硅；NLDD；NSD、PSD等步骤。本发明采用淀积一次多晶硅，两次刻蚀多晶硅后进行多晶硅掺杂的方法避免了多晶后续工艺的高温过程中多晶硅中的掺杂离子对栅氧及沟道区的影响，解决了热过程中栅氧易被破坏的难题。可在单一芯片上集成包括高压VDMOS、高压PMOS、高压NPN、高压PNP、低压NPN、衬底PNP、横向PNP、低压NMOS、低压PMOS、低压二极管、高压二极管、齐纳二极管以及各类电容电阻在内的多种器件。具有高功率、集成器件多、工艺易于实现、器件性能稳定和兼容性好的特点。