含前侧应变超晶格层和背侧应力层的半导体器件和方法

摘要

一种半导体器件，该半导体器件可以包括：半导体衬底，其具有前后表面；与所述半导体衬底的前表面相邻并且包括多个堆叠的层组的应变超晶格层；以及，应力层，在所述衬底的后表面上，并且包括与半导体衬底不同的材料。所述应变超晶格层的每个层组可以包括：限定基本半导体部分的多个堆叠的基本半导体单层；以及至少一个非半导体单层，其被限制在相邻的基本半导体部分的晶格内。