反射型光掩模基板及其制造方法、反射型光掩模、半导体器件的制造方法

摘要

反射型光掩模基板(10)包括：衬底(1)、在衬底(1)上形成并反射曝光用光的多层反射膜(2)、在多层反射膜(2)上形成并保护多层反射膜(2)的保护膜(3)、在保护膜(3)上并吸收曝光用光的吸收体层(5)、在吸收体层(5)和保护膜(3)之间形成并对吸收体层(5)的曝光转印图案形成时进行的蚀刻有抗腐蚀性的缓冲膜(4)，保护膜(3)是含Zr和Si的化合物、或是含Zr和Si以及O或N中的至少任意一种的化合物、或是含Ru、C、或Y中的至少任意一种的单质或化合物。