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一种提高磁性多层膜结构中偏置场稳定性的方法

摘要

一种提高磁性多层膜结构中偏置场稳定性的方法,属磁电子学和磁记录技术领域。它包括以下步骤:(1)沉积磁性层;(2)利用聚焦镓离子工作站作为离子辐照设备,进行离子辐照改性;其特征在于:离子辐照的剂量为5×1011~5×1014ions/cm2。本方法可应用于由磁性多层膜构成的巨磁阻电阻传感器、磁性随机存取存储器、磁记录器件等磁敏感器件中的磁敏感单元,具有方法简单、效果好等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN101345286A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京航空航天大学;

    申请/专利号CN200810098871.6

  • 发明设计人 王寅岗;李子全;陈建康;周广宏;

    申请日2008-05-09

  • 分类号H01L43/12(20060101);H01F10/08(20060101);

  • 代理机构32200 南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人魏学成

  • 地址 210016 江苏省南京市御道街29号

  • 入库时间 2023-12-17 21:15:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L43/12 授权公告日:20100127 终止日期:20160509 申请日:20080509

    专利权的终止

  • 2011-04-27

    专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L43/12 合同备案号:2011320000114 让与人:南京航空航天大学 受让人:南京金宁三环富士电气有限公司 发明名称:一种提高CoFe/Cu/CoFe/IrMn自旋阀结构多层膜结构中偏置场稳定性的方法 公开日:20090114 授权公告日:20100127 许可种类:独占许可 备案日期:20110301 申请日:20080509

    专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

  • 2010-01-27

    授权

    授权

  • 2009-03-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-01-14

    公开

    公开

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