法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-07-24
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/052 申请公布日:20081022 申请日:20080605
发明专利申请公布后的驳回
2010-01-13
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-10-22
公开
公开
机译: 包括至少两个相邻NMOS器件的集成电路-具有隔离沟道区,该隔离沟道区形成在公共衬底上的器件之间,该隔离沟道区被配置为减小连续NMOS器件之间的寄生效应
机译: 一种具有漂移区和场停止区的半导体器件的制造方法以及具有漂移区和场停止区的半导体器件是
机译: 功率半导体开关器件,功率转换器,集成电路组件,集成电路,功率电流开关方法,形成功率半导体开关器件的方法,功率转换方法,功率半导体开关器件封装方法以及形成功率晶体管的方法