含有位于应力层上的应变超晶格的半导体器件及其相关方法

摘要

半导体器件，可以包括应力层(26’)和位于应力层上的应变超晶格层(425)并包括多个叠加的层组。更具体而言，应变超晶格层的每一个层组可以包括用于限定基础半导体部分的多个叠加的基础半导体单层和限制于相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。