可调整翻转点的反相器、或非门以及与非门

摘要

本发明为一种可调整翻转点的反相器、或非门以及与非门。所述的反相器包含一输入端，用以接收一输入信号；一输出端，用以输出所述的输入信号的反相信号；一第一P型金氧半导体晶体管，其栅极耦接在所述的输入端，漏极耦接在所述的输出端，源极耦接在一偏压电源；一第一N型金氧半导体晶体管，其栅极耦接在所述的输入端，漏极耦接在所述的输出端，源极耦接在一地端；与一可调电流源，耦接在所述的输出端，用以输出一可调大小的电流以调整所述的反相器的翻转点。

说明书

技术领域

本发明涉及的是一种可调整翻转点的反相器，特别涉及的是一种可调整翻转点也同时不受温度影响的反相器。

背景技术

请参考图1所示。其为一背景技术的反相器100。如图所示，反相器100是由一N型金氧半导体晶体管(NMOS)Qn1与一P型金氧半导体晶体管(PMOS)Qp1所组成，并包含一输入端用以接收一输入信号Vin与一输出端用以传送一输出信号Vout。金氧半导体晶体管Qp1的源极耦接在偏压VDD、栅极耦接在输入端用以接收输入信号Vin、漏极耦接在输出端。金氧半导体晶体管Qn1的源极耦接在一地端、栅极耦接在输入端用以接收输入信号Vin、漏极耦接在输出端。

请参考图2所示，其为说明背景技术的反相器100的输入信号与输出信号的关系的示意图。如图所示，VT为翻转点(threshold)的电位。当输入信号Vin的电压高于翻转点VT时，输出信号Vout便为低电位VL；当输入信号Vin的电压低在翻转点VT时，输出信号Vout便为高电位VH。举例来说，设高电位VH为5伏特、低电位VL为0伏特、翻转点VT为2.5伏特；则当输入信号Vin超过2.5伏特时，输出信号Vout便成为0伏特；当输入信号Vin低在2.5伏特时，输出信号Vout便成为5伏特。如此运作方式，达成信号反相操作的目的。

然而一般来说，翻转点VT的电压值为固定，在制造反相器100中的P型金氧半导体晶体管与N型金氧半导体晶体管时，二者的通道长宽比，就已经决定翻转点VT的大小。因此，使用者若想将输入信号Vin操作在比较高电位的地方，例如3～4伏特的范围，而翻转点VT的电位始终为2.5伏特，如此一来输出信号Vout便只能维持在低电位VL；或者使用者若想将输入信号Vin操作在比较低电位的地方，例如1～2伏特的范围，如此一来输出信号Vout便只能维持在低电位VH。而由于上述原因，致使背景技术的反相器100的使用范围有所限制。

再者，不同加工所产生的反相器，其翻转点不尽相同。而且实际上即使是同一加工，翻转点也不会都相同。还明确地说，以P型金氧半导体晶体管为例，即使是同一种加工，不同批的P型金氧半导体晶体管，在相同的偏压下，所输出的电流，都不一定会一样。因此，使用者在应用上，将无法明确得知背景技术的反相器其翻转点为何，造成使用者不便。

发明内容

本发明提供一种与电压、温度、加工不敏感的可调整翻转点的反相器。所述的反相器包含一输入端，用以接收一输入信号；一输出端，用以输出所述的输入信号的反相信号；一第一P型金氧半导体晶体管，其栅极耦接在所述的输入端，漏极耦接在所述的输出端，源极耦接在一偏压电源；一第一N型金氧半导体晶体管，其栅极耦接在所述的输入端，漏极耦接在所述的输出端，源极耦接在一地端；与一可调电流源，耦接在所述的输出端，用以输出一可调大小的电流以调整所述的反相器的翻转点。

本发明另提供一种与电压、温度、加工不敏感的可调整翻转点的与非门。所述的与非门包含一第一输入端，用以接收一第一输入信号；一第二输入端，用以接收一第二输入信号；一输出端，用以输出所述的第一输入信号与所述的第二输入信号经互与运算后的信号；一第一N型金氧半导体晶体管，其栅极耦接在所述的第一输入端，源极耦接在一地端；一第二N型金氧半导体晶体管，其栅极耦接在所述的第二输入端，源极耦接在所述的第一N型金氧半导体晶体管的漏极，漏极耦接在所述的输出端；一第一P型金氧半导体晶体管，其栅极耦接在所述的第一输入端，源极耦接在一偏压电源，漏极耦接在所述的输出端；一第二P型金氧半导体晶体管，其栅极耦接在所述的第二输入端，源极耦接在所述的偏压电源，漏极耦接在所述的输出端；与一可调电流源，耦接在所述的输出端，用以输出一可调大小的电流以调整翻转点。

本发明另提供一种与电压、温度、加工不敏感的可调整翻转点的或非门。所述的或非门包含一第一输入端，用以接收一第一输入信号；一第二输入端，用以接收一第二输入信号；一输出端，用以输出所述的第一输入信号与所述的第二输入信号经互或运算后的信号；一第一N型金氧半导体晶体管，其栅极耦接在所述的第一输入端，其源极耦接在一地端，其漏极耦接在所述的输出端；一第二N型金氧半导体晶体管，其栅极耦接在所述的第二输入端，其源极耦接在所述的地端，其漏极耦接在所述的输出端；一第一P型金氧半导体晶体管，其栅极耦接在所述的第一输入端，其源极耦接在一偏压电源；一第二P型金氧半导体晶体管，其栅极耦接在所述的第二输入端，其源极耦接在所述的第一P型金氧半导体晶体管的漏极，其漏极耦接在所述的输出端；与一可调电流源，耦接在所述的输出端，用以输出一可调大小的电流以调整翻转点。

附图说明

图1为一背景技术的反相器的示意图；

图2为说明背景技术的反相器的输入信号与输出信号的关系的示意图；

图3为本发明的可调整翻转点的反相器的示意图；

图4为本发明的可调整翻转点的反相器的可调电流源的第一实施例的示意图；

图5为本发明的可调整翻转点的反相器的可调电流源的第二实施例的示意图；

图6为本发明的可调整翻转点的反相器的可调电流源的第三实施例的示意图；

图7为本发明的可调整翻转点的与非门的示意图；

图8为本发明的可调整翻转点的与非门的可调电流源的第一实施例的示意图；

图9为本发明的可调整翻转点的或非门的示意图；

图10为本发明的可调整翻转点的或非门的可调电流源的第一实施例的示意图。

附图标记说明：Qn1Qn2Qn3Qn4N-型金氧半导体晶体管；Qp1Qp2Qp3Qp4P-型金氧半导体晶体管；VinVinaVinb-输入信号；Vout-输出信号；VDD-偏压；VT-翻转点；VH-高电位；VL-低电位；I-电流；x-控制电压；100、300-反相器；310610810-可调电流源；600、620-与非门；800、820-或非门。

具体实施方式

以下结合附图，对本发明上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。

请参考图3。图3为本发明的可调整翻转点的反相器300的示意图。如图所示，反相器300包含一反相器100与一可调电流源310。反相器300运作方式为在反相器100的输出端，加入一可调电流源310以提供电流I到晶体管Qp1或者Qn1以改变翻转点VT。举例来说，当输入信号Vin从低电位慢慢往高电位爬升时，晶体管Qp1所输出的电流将逐渐变小而晶体管Qn1所输出的电流将逐渐变大，也就是说输出信号Vout的电位将逐渐往低电位VL趋近；直到输入信号Vin高于翻转点VT(设为2.5伏特)，晶体管Qp1所导通的电流将小于晶体管Qn1所导通的电流，此时输出信号Vout完全被晶体管Qn1拉低至低电位VL。因此，本发明所提供的可调电流源310可提供电流I在输出端，以将输出信号Vout的电位往上提升，如此一来，输入信号Vin的电位就必须在还高而使得晶体管Qn1导通的程度还大、将输出信号Vout的下拉电流还大，才能将输出信号下拉至低电位VL。这样一来，就能提升翻转点VT的大小。所以若原先的反相器100的翻转点VT设在2.5伏特，偏压VDD设为5伏特，则经由本发明的设计，可以将翻转点VT调高为3.5伏特以方便输入信号Vin可操作在还高的范围(3～4伏特)。反过来说，当输入信号Vin从高电位慢慢往低电位下降时，晶体管Qn1所输出的电流将逐渐变小而晶体管Qp1所输出的电流将逐渐变大，也就是说输出信号Vout的电位将逐渐往高电位VH趋近；直到输入信号Vin低在翻转点VT，晶体管Qn1所导通的电流小于晶体管Qp1所导通的电流，此时输出信号Vout完全被晶体管Qp1拉高至高电位VH。因此，本发明所提供的可调电流源310也可提供电流I在输出端，以将输出信号Vout的电位往下拉低，如此一来，输入信号Vin的电位就必须在还低而使得晶体管Qp1导通的程度还大、将输出信号Vout的提升电流还大，才能将输出信号Vout提升至高电位VH。这样一来，就能降低翻转点VT的大小。所以若原先的反相器100的翻转点VT设在2.5伏特且偏压VDD设为5伏特，则经由本发明的设计，可以将翻转点VT降低为1.5伏特以方便输入信号Vin可操作在还低的范围(1～2伏特)。而可调电流源310所输出的电流I越大，翻转点提升/下降的程度就越高。而本发明所提供的反相器300，便可根据使用者实际上所需操作输入信号的电压范围，来控制可调电流源310输出的电流大小，进而调整翻转点VT，以符合使用者的需要。

请参考图4。图4为本发明的可调整翻转点的反相器300的可调电流源310第一实施例的示意图。如图所示，可调电流源310包含二N型金氧半导体晶体管Qn2、Qn3与一P型金氧半导体晶体管Qp4。P型金氧半导体晶体管Qp4的源极耦接在偏压VDD、栅极用以接收一控制电压Vx、漏极耦接在N型金氧半导体晶体管Qn3的漏极。N型金氧半导体晶体管Qn3的栅极耦接在P型金氧半导体晶体管Qp4的漏极、源极耦接在地端、漏极耦接在P型金氧半导体晶体管Qp4的漏极。N型金氧半导体晶体管Qn2的栅极耦接在P型金氧半导体晶体管Qp4的漏极、源极耦接在地端、漏极耦接在反相器100的输出端。晶体管Qn2与晶体管Qn3的耦接方式是形成一电流镜，用以复制晶体管Qp4所导通的电流至反相器100的输出端；控制电压Vx用以控制晶体管Qp4所导通的电流大小。如此便可以控制可调电流源310输出至反相器100的电流大小并进而控制翻转点VT。在此实施例中，可调电流源310所输出的电流将会将反相器100的输出信号拉低，也就是说，会把翻转点VT降低。因此，当使用者欲将输入信号Vin操作在较低的电压范围时，可使用此实施例来将翻转点VT调低。而除了改变控制电压Vx来调整电流外，本发明的反相器300，也可以将控制电压Vx设为0伏特(接地)，靠着调整晶体管Qp4的通道长度与宽度，来调整可调电流源310所输出的电流以调整翻转点VT。实际上的应用中，将晶体管Qp4的栅极接地然后靠着改变晶体管Qp4的通道长度或宽度是较容易供使用者应用。另外，在此实施例中，由于金氧半导体晶体管所导通的电流大小，除了与导通电压有关的外，还与温度、信道长度、信道宽度有关。也就是说金氧半导体晶体管在温度上升时，所导通的电流大小也会跟着上升，而其上升的幅度，是跟所述的金氧半导体晶体管的通道长度、宽度等成一正相关的关系。因此，在背景技术的反相器100中，会因为温度的不同，其翻转点VT也会跟着变动。如此将会影响使用者操作时的困难。而本发明的反相器300，可利用可调电流源310中的P型金氧半导体晶体管Qp4来抵消对于温度的变化。在以本发明的反相器来要补偿温度的变化时，因为晶体管Qp1与Qp4因为实际制作时在同一个小块区域内，所以温度会一致，使得所有的参数因温度的变动而有相同的改变，因此会对温度不敏感，而也可利用晶体管Qp1与Qp4之间绝对的信道长度与信道宽度的相同或是晶体管Qp1与Qp4之间绝对的通道宽度仅稍微相异而长度相同来得到最佳的与温度不相关效果。还明确地说，本发明的反相器300可将P型金氧半导体晶体管Qp1与Qp4的信道长度、信道宽度设为一比例关系，如此一来，当温度上升时，晶体管Qp1所导通的提升电流将变大；而同时晶体管Qp4所导通的上升电流也跟着变大(在控制电压Vx不改变的情况下)，所以所复制的下拉电流I也跟着变大。下拉电流I与晶体管Qp1所导通的电流变大的幅度一样，且同时交会在反相器100的输出端，因此会互相抵消。所以对于输出信号Vout来说，并不会因为任何温度的变化而产生变动。因此，反相器300的翻转点VT也就不会有任何的变化。另外，在实际状况中，偏压电源VDD也有可能漂移。因此，背景技术的反相器100的翻转点仍会受到偏压电源VDD的影响。而本发明的反相器300，由于有晶体管Qp4的设计，在偏压电源VDD漂移时，晶体管Qp1所流通的电流变动将会被晶体管Qp4的电流变动抵消。因此，翻转点仍能维持原先设定的值。再者，如先前所述，不同加工或者同一加工但不同批的晶体管，其电流与偏压的关系会有些许漂移。因此，背景技术的反相器100的翻转点仍会受到加工上的漂移的影响。而本发明的反相器300，由于有晶体管Qp4是与晶体管Qp1一起制造，也就是说一定是同一加工同一批的晶体管，因此两者即使会漂移，漂移的幅度也会是一样的。而本发明便利用此点，将两者漂移的程度互相抵消。因此，翻转点仍能维持原先设定的值。在以本发明的反相器来要补偿温度、电压、加工的变化时，可利用晶体管Qp1与Qp4之间绝对的信道长度与信道宽度的相同或是晶体管Qp1与Qp4之间绝对的通道宽度仅稍微相异而长度相同来得到最佳的与温度、电压、加工不相关效果。如此对于使用者来说，明显地能够方便的使用本发明的反相器300来操作。

请参考图5。图5为本发明的可调整翻转点的反相器300的可调电流源310第二实施例的示意图。如图所示，可调电流源310包含二P型金氧半导体晶体管Qp2、Qp3与一N型金氧半导体晶体管Qn4。N型金氧半导体晶体管Qn4的源极耦接在地端、栅极用以接收一控制电压Vx、漏极耦接在P型金氧半导体晶体管Qp3的漏极。P型金氧半导体晶体管Qp3的栅极耦接在N型金氧半导体晶体管Qn4的漏极、源极耦接在偏压VDD、漏极耦接在N型金氧半导体晶体管Qn4的漏极。P型金氧半导体晶体管Qp2的栅极耦接在N型金氧半导体晶体管Qn4的漏极、源极耦接在偏压VDD、漏极耦接在反相器100的输出端。晶体管Qp2与晶体管Qp3的耦接方式是形成一电流镜，用以复制晶体管Qn4所导通的电流至反相器100的输出端；控制电压Vx用以控制晶体管Qn4所导通的电流大小。如此便可以控制可调电流源310输出至反相器100的电流大小并进而控制翻转点VT。在此实施例中，可调电流源310所输出的电流将会将反相器100的输出信号提升，也就是说，会把翻转点VT提升。因此，当使用者欲将输入信号Vin操作在较高的电压范围时，可使用此实施例来将翻转点VT调高。而除了改变控制电压Vx来调整电流外，本发明的反相器300，也可以将控制电压Vx设为0伏特(接地)，靠着调整晶体管Qn4的信道长度、信道宽度，来调整可调电流源310所输出的电流以调整翻转点VT。实际上的应用中，将晶体管Qn4的栅极接地然后靠着改变晶体管Qn4的信道长度、信道宽度是较容易供使用者应用。另外，在此实施例中，由于金氧半导体晶体管所导通的电流大小，除了与导通电压有关的外，还与温度、信道长度、信道宽度有关。也就是说金氧半导体晶体管在温度上升时，所导通的电流大小也会跟着上升，而其上升的幅度，是跟所述的金氧半导体晶体管的信道长度、信道宽度等成一正相关的关系。因此，在背景技术的反相器100中，会因为温度的不同，其翻转点VT也会跟着变动。如此将会影响使用者操作时的困难。而本发明的反相器300，可利用可调电流源310中的N型金氧半导体晶体管Qn4来抵消对于温度的变化。在以本发明的反相器来要补偿温度的变化时，因为晶体管Qn1与Qn4因为实际制作时在同一个小块区域内，所以温度会一致，使得所有的参数因温度的变动而有相同的改变，因此会对温度不敏感，而也可利用晶体管Qn1与Qn4之间绝对的信道长度与信道宽度的相同或是晶体管Qn1与Qn4之间绝对的通道宽度仅稍微相异而长度相同来得到最佳的与温度不相关效果。还明确地说，本发明的反相器300可将N型金氧半导体晶体管Qn1与Qn4的通道长宽比设为一比例关系，如此一来，当温度上升时，晶体管Qn1所导通的下拉电流将变大；而同时晶体管Qn4所导通的下拉电流也跟着变大(在控制电压Vx不改变的情况下)，所以所复制的提升电流I也跟着变大。提升电流I与晶体管Qn1所导通的电流变大的幅度一样，且同时交会在反相器100的输出端，因此会互相抵消。所以对于输出信号Vout来说，并不会因为任何温度的变化而产生变动。因此，反相器300的翻转点VT也就不会有任何的变化。另外，在实际状况中，偏压电源VDD也有可能漂移。因此，背景技术的反相器100的翻转点仍会受到偏压电源VDD的影响。而本发明的反相器300，由于有晶体管Qn4的设计，在偏压电源VDD漂移时，晶体管Qn1所流通的电流变动将会被晶体管Qn4的电流变动抵消。因此，翻转点仍能维持原先设定的值。再者，如先前所述，不同加工或者同一加工但不同批的晶体管，其电流与偏压的关系会有些许漂移。因此，背景技术的反相器100的翻转点仍会受到加工上的漂移的影响。而本发明的反相器300，由于有晶体管Qn4是与晶体管Qn1一起制造，也就是说一定是同一加工同一批的晶体管，因此两者即使会漂移，漂移的幅度也会是一样的。而本发明便利用此点，将两者漂移的程度互相抵消。因此，翻转点仍能维持原先设定的值。在以本发明的反相器来要补偿温度、电压、加工的变化时，可利用晶体管Qn1与Qn4之间绝对的信道长度与信道宽度的相同或是晶体管Qn1与Qn4之间绝对的通道宽度仅稍微相异而长度相同来得到最佳的与温度、电压、加工不相关效果。如此对于使用者来说，明显地能够方便的使用本发明的反相器300来操作。

请参考图6。图6为本发明的可调整翻转点的反相器300的可调电流源310第三实施例的示意图。如图6所示，本发明的可调电流源310的第三实施例为由图4的可调电流源310的第一实施例与与图5的可调电流源310的第二实施例所构成。相关工作原理的描述如同图4的描述与图5的描述，在此不再赘述。因此，本发明的可调整翻转点反相器300可利用图6的可调电流源310，来提供给使用者还方便的操作。

请参考图7。图7为本发明的可调整翻转点的与非门600的示意图。如图所示，与非门600包含一与非门620与一可调电流源610。与非门620包含二N型金氧半导体晶体管Qn1与Qn2、二P型金氧半导体晶体管Qp1与Qp2。晶体管Qn1的源极耦接在地端、漏极耦接在晶体管Qn2的源极、栅极耦接在与非门620的第一输入端用以接收输入信号Vina；晶体管Qn2的源极耦接在晶体管Qn1的漏极、漏极耦接在与非门620的输出端、栅极耦接在与非门620的第二输入端用以接收输入信号Vinb；晶体管Qp1的源极耦接在偏压VDD、漏极耦接在与非门620的输出端、栅极耦接在第一输入端用以接收输入信号Vina；晶体管Qp2的源极耦接在偏压VDD、漏极耦接在与非门620的输出端、栅极耦接在第二输入端用以接收输入信号Vinb。与非门620用以输入信号Vina、Vinb；然后将Vina与Vinb作反与运算(NAND)后，在输出端输出运算结果。与非门600的运作方式为在与非门620的输出端，加入一可调电流源610以提供电流I到与非门620的输出端以改变翻转点VT。因此，与非门600可根据使用者的需求，调整翻转点的高低。若使用者欲将输入信号操作在较高的电压范围，与非门600便可调高可调电流源的电流以调高翻转点。而可调电流源610所输出的电流I越大，翻转点提升的程度就越高。而本发明所提供的与非门600，便可根据使用者实际上所需操作输入信号的电压范围，来控制可调电流源610输出的电流大小，进而调整翻转点VT，以符合使用者的需要。

请参考图8。图8为本发明的可调整翻转点的与非门600的可调电流源610第一实施例的示意图。如图所示，可调电流源610包含二N型金氧半导体晶体管Qn2与Qn3、二P型金氧半导体晶体管Qp3与Qp4。晶体管Qp4的源极耦接在偏压VDD、栅极耦接在晶体管Qp3的栅极、漏极耦接在与非门620的输出端；晶体管Qp3的源极耦接在偏压VDD、栅极耦接在晶体管Qn4的漏极、漏极耦接在晶体管Qn4的漏极；晶体管Qn4的源极耦接在晶体管Qn3的漏极、栅极用以接收一控制电压Vx、漏极耦接在晶体管Qp3的漏极；晶体管Qn3的源极耦接在地端、栅极用以接收控制电压Vx、漏极耦接在晶体管Qn4的源极。晶体管Qp3与晶体管Qp4的耦接方式是形成一电流镜，用以复制晶体管Qn3与Qn4所导通的电流至与非门620的输出端；控制电压Vx用以控制晶体管Qn3、Qn4所导通的电流大小。如此便可以控制可调电流源610输出至与非门620的电流大小并进而控制翻转点VT。在此实施例中，可调电流源610所输出的电流将会将与非门620的输出信号提升，也就是说，会把翻转点VT提升。因此，当使用者欲将输入信号Vin操作在较高的电压范围时，可使用此实施例来将翻转点VT调高。而除了改变控制电压Vx来调整电流外，本发明的与非门600，也可以将控制电压Vx设为0伏特(接地)，靠着调整晶体管Qn3、Qn4的信道长度、信道宽度，来调整可调电流源610所输出的电流以调整翻转点VT。实际上的应用中，将晶体管Qn3、Qn4的栅极接地然后靠着改变晶体管Qn3、Qn4的长宽比是较容易供使用者应用。另外，在此实施例中，由于金氧半导体晶体管所导通的电流大小，除了与导通电压有关的外，还与温度、信道长宽比有关。也就是说金氧半导体晶体管在温度上升时，所导通的电流大小也会跟着上升，而其上升的幅度，是跟所述的金氧半导体晶体管的信道长度信道宽度等成一正相关的关系。因此，在背景技术的与非门620中，会因为温度的不同，其翻转点VT也会跟着变动。如此将会影响使用者操作时的困难。而本发明的与非门600，可利用可调电流源610中的N型金氧半导体晶体管Qn3、Qn4来抵消对于温度的变化。还明确地说，本发明的与非门600可将N型金氧半导体晶体管Qn1、Qn2、Qn3、Qn4的信道长度、信道宽度设为一比例关系，如此一来，当温度上升时，晶体管Qn1、Qn2所导通的下拉电流将变大；而同时晶体管Qn3、Qn4所导通的下拉电流也跟着变大(在控制电压Vx不改变的情况下)，所以所复制的提升电流I也跟着变大。下拉电流I与晶体管Qn1、Qn2所导通的电流变大的幅度一样，且同时交会在与非门620的输出端，因此会互相抵消。所以对于输出信号Vout来说，并不会因为任何温度的变化而产生变动。因此，与非门600的翻转点VT也就不会有任何的变化。另外，在实际状况中，偏压电源VDD也有可能漂移。而本发明的与非门600，由于有晶体管Qp3、Qp4的设计，在偏压电源VDD漂移时，晶体管Qp1、Qp2所流通的电流变动将会被晶体管Qp3、Qp4的电流变动抵消。因此，翻转点仍能维持原先设定的值。再者，如先前所述，不同加工或者同一加工但不同批的晶体管，其电流与偏压的关系会有些许漂移。而本发明的与非门600，由于有晶体管Qn3、Qn4是与晶体管Qn1、Qn2一起制造，也就是说一定是同一加工同一批的晶体管，因此即使会漂移，漂移的幅度也会是一样的。而本发明便利用此点，将此四晶体管漂移的程度互相抵消。因此，翻转点仍能维持原先设定的值。在以本发明的反相器来要补偿温度、电压、加工的变化时，可利用晶体管Qn3、Qn4与晶体管Qp1、Qp2之间绝对的信道长度与信道宽度的相同或是晶体管Qn3、Qn4与晶体管Qp1、Qp2之间绝对的通道宽度仅稍微相异而长度相同来得到最佳的与温度、电压、加工不相关效果。如此对于使用者来说，明显地能够方便的使用本发明的与非门600来操作。

请参考图9。图9为本发明的可调整翻转点的或非门800的示意图。如图所示，或非门800包含一或非门820与一可调电流源810。或非门820包含二N型金氧半导体晶体管Qn1与Qn2、二P型金氧半导体晶体管Qp1与Qp2。晶体管Qn1的源极耦接在地端、漏极耦接在或非门820的输出端、栅极耦接在或非门820的第一输入端用以接收输入信号Vina；晶体管Qn2的源极耦接在地端、漏极耦接在或非门820的输出端、栅极耦接在或非门820的第二输入端用以接收输入信号Vinb；晶体管Qp1的源极耦接在晶体管Qp2的漏极、漏极耦接在或非门820的输出端、栅极耦接在第二输入端用以接收输入信号Vinb；晶体管Qp2的源极耦接在偏压VDD、漏极耦接在晶体管Qp1的源极、栅极耦接在第一输入端用以接收输入信号Vina。或非门820用以输入信号Vina、Vinb；然后将Vina与Vinb作反与运算(NOR)后，在输出端输出运算结果。或非门800的运作方式为在或非门820的输出端，加入一可调电流源810以提供电流I以改变翻转点VT。因此，或非门800可根据使用者的需求，调整翻转点的高低。若使用者欲将输入信号操作在较低的电压范围，或非门800便可调大可调电流源的电流以调低翻转点。而可调电流源810所输出的电流I越大，翻转点下降的程度就越高。而本发明所提供的或非门800，便可根据使用者实际上所需操作输入信号的电压范围，来控制可调电流源810输出的电流大小，进而调整翻转点VT，以符合使用者的需要。

请参考图10。图10为本发明的可调整翻转点的或非门800的可调电流源810第一实施例的示意图。如图所示，可调电流源810包含二N型金氧半导体晶体管Qn3与Qn4、二P型金氧半导体晶体管Qp3与Qp4。晶体管Qp4的源极耦接在偏压VDD、栅极用以接收一控制电压Vx、漏极耦接在晶体管Qp3的源极；晶体管Qp3的源极耦接在晶体管Qp4的漏极、栅极用以接收控制电压Vx、漏极耦接在晶体管Qn4的漏极；晶体管Qn4的源极耦接在地端、栅极耦接在晶体管Qp3的漏极、漏极耦接在晶体管Qn3的漏极；晶体管Qn3的源极耦接在地端、栅极耦接在晶体管Qn3的漏极、漏极耦接在或非门820的输出端。晶体管Qn3与晶体管Qn4的耦接方式是形成一电流镜，用以复制晶体管Qp3与Qp4所导通的电流至或非门820的输出端；控制电压Vx用以控制晶体管Qp3、Qp4所导通的电流大小。如此便可以控制可调电流源810输出至或非门820的电流大小并进而控制翻转点VT。在此实施例中，可调电流源810所输出的电流将会将或非门820的输出信号降低，也就是说，会把翻转点VT降低。因此，当使用者欲将输入信号Vin操作在较低的电压范围时，可使用此实施例来将翻转点VT调低。而除了改变控制电压Vx来调整电流外，本发明的或非门800，也可以将控制电压Vx设为0伏特(接地)，靠着调整晶体管Qp3、Qp4的信道长度、信道宽度，来调整可调电流源8 10所输出的电流以调整翻转点VT。实际上的应用中，将晶体管Qp3、Qp4的栅极接地然后靠着改变晶体管Qp3、Qp4的信道长度、信道宽度是较容易供使用者应用。另外，在此实施例中，由于金氧半导体晶体管所导通的电流大小，除了与导通电压有关的外，还与温度、信道长度、信道宽度有关。也就是说金氧半导体晶体管在温度上升时，所导通的电流大小也会跟着上升，而其上升的幅度，是跟所述的金氧半导体晶体管的信道长度、信道宽度等成一正相关的关系。因此，在背景技术的或非门820中，会因为温度的不同，其翻转点VT也会跟着变动。如此将会影响使用者操作时的困难。而本发明的或非门800，可利用可调电流源810中的P型金氧半导体晶体管Qp3、Qp4来抵消对于温度的变化。还明确地说，本发明的或非门800可将P型金氧半导体晶体管Qp3、Qp4的信道长度、信道宽度与晶体管Qp1、Qp2设为一比例关系，如此一来，当温度上升时，晶体管Qp1、Qp2所导通的提升电流将变大；而同时晶体管Qp3、Qp4所导通的提升电流也跟着变大(在控制电压Vx不改变的情况下)，所以所复制的下拉电流I也跟着变大。下拉电流I与晶体管Qp1、Qp2所导通的电流变大的幅度一样，且同时交会在或非门820的输出端，因此会互相抵消。所以对于输出信号Vout来说，并不会因为任何温度的变化而产生变动。因此，或非门820的翻转点VT也就不会有任何的变化。另外，在实际状况中，偏压电源VDD也有可能漂移。而本发明的与非门600，由于有晶体管Qp3、Qp4的设计，在偏压电源VDD漂移时，晶体管Qp1、Qp2所流通的电流变动将会被晶体管Qp3、Qp4的电流变动抵消。因此，翻转点仍能维持原先设定的值。再者，如先前所述，不同加工或者同一加工但不同批的晶体管，其电流与偏压的关系会有些许漂移。而本发明的与非门600，由于有晶体管Qp3、Qp4是与晶体管Qp1、Qp2一起制造，也就是说一定是同一加工同一批的晶体管，因此即使会漂移，漂移的幅度也会是一样的。而本发明便利用此点，将此四晶体管漂移的程度互相抵消。因此，翻转点仍能维持原先设定的值。在以本发明的反相器来要补偿温度、电压、加工的变化时，可利用晶体管Qp3、Qp4与晶体管Qp1、Qp2之间绝对的信道长度与信道宽度的相同或是晶体管Qp3、Qp4与晶体管Qp1、Qp2之间绝对的通道宽度仅稍微相异而长度相同来得到最佳的与温度、电压、加工不相关效果。如此对于使用者来说，明显地能够方便的使用本发明的或非门800来操作。

综上述，利用本发明的设计，可以有效地调整逻辑闸的翻转点，也能抵抗温度效应、电压、加工所造成的翻转点漂移，给予使用者较高的便利性。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，对本发明而言仅仅是说明性的，而非限制性的。本专业技术人员理解，在本发明权利要求所限定的精神和范围内可对其进行许多改变，修改，甚至等效，但都将落入本发明的保护范围内。