针对大锡球的晶圆减薄制程

摘要

本发明提供一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其中，该制程在锡球尚未回流成型之前先粘贴保护胶，然后再进行晶背研磨。该制程首先在晶圆上沉积一层金属介质层，在金属介质层上覆盖一层光胶层；利用光刻法在光胶层开孔；在光胶层的开孔内形成锡球；在光胶正面粘贴保护胶后进行晶背研磨。本发明还提供另一制程，首先在晶圆上沉积一层金属介质层，并在金属介质层上覆盖一层光胶层；利用光刻法在生长锡球的位置形成光胶保护区；蚀刻光胶保护区以外的金属介质层并去除光胶层；最后，在金属介质层的上方粘贴保护胶，然后进行晶背研磨。与现有技术相比，本发明即使利用普通的紫外胶也能很好地保护大锡球。