采用选择再生长的AlGaN/GaN－HEMT的制造方法

摘要

本发明提供一种采用选择再生长的AlGaN/GaN－HEMT的制造方法。在该制造方法中，首先，准备具有叠层构造的半导体主体(110)，该叠层构造是在衬底(100)上层叠缓冲层(102)、在缓冲层上层叠UID－GaN层、在该UID－GaN层上层叠UID－AlGaN层而形成的。然后，在该半导体主体的作为UID－AlGaN层的表面的第1主面(111)上，形成绝缘膜(112)的图案，以形成了图案的绝缘膜(112′)为掩模，不对半导体主体表面进行蚀刻处理，而在绝缘膜的区域以外的半导体主体表面的区域上，直接选择再生长n