微机械开关低应力氮氧化硅桥膜的制备方法

摘要

本发明涉及微机械开关低应力氮氧化硅桥膜的制备方法，属于半导体器件及集成电路制作技术领域。该方法为：在制备微机械开关的介质桥膜的步骤中，采用等离子增强化学气相淀积方法，在常规的工艺条件下，通过调节反应气体流量比，一次淀积制备出氮氧化硅介质层；所述的反应气体由硅烷、氨气和氧化二氮组成。采用本方法制备的氮氧化硅作为介质桥膜，可以降低开关的驱动电压。同时，本方法工艺简单，可得到广泛应用。