公开/公告号CN101153387A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN200610116907.X
发明设计人 刘明源;
申请日2006-09-30
分类号C23C16/513(20060101);C23C16/448(20060101);C23C16/52(20060101);H01L21/205(20060101);H01L21/285(20060101);H01L21/31(20060101);H01L21/3205(20060101);H01L21/00(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人逯长明
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2023-12-17 19:58:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-11-23
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C16/513 公开日:20080402 申请日:20060930
发明专利申请公布后的驳回
2008-05-28
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-04-02
公开
公开
机译: 用于用金属涂层涂覆衬底的等离子体涂覆工艺,尤其是等离子体辅助化学气相沉积工艺,包括将衬底暴露在反应室中以处理流过该室的气体
机译: 用于将来自工艺气体的材料层沉积到基板圆盘上的设备包括反应器腔室,该腔室由上盖,下盖和侧壁,基座,预热环,卡盘和垫片限制
机译: 用于将气体注入沉积系统的反应室中的热化气体注射器,包括入口,热化导管,容纳液体试剂的液体容器,出口以及从入口延伸穿过热化导管的路径