用于沉积、注入和处理的具有多种反应气体、高偏置功率和高功率脉冲源的PVD腔室的增设部分

摘要

本公开内容的实施方式提供具有原位离子注入能力的溅射腔室。在一个实施方式中，溅射腔室包含靶材、耦接至所述靶材的RF和DC电源、包含平坦基板接收表面的支撑件主体、耦接至支撑件主体的偏置功率源、耦接至偏置功率源的脉冲控制器和排放组件，其中所述脉冲控制器施加脉冲控制信号至偏置功率源，使得在常规脉冲模式或高频率脉冲模式中输送偏置功率，常规脉冲模式具有约100至200微秒的脉冲持续时间和约1Hz至200Hz的脉冲重复频率，而高频率脉冲模式具有约100微秒至300微秒的脉冲持续时间和约200Hz至约20KHz的脉冲重复频率，并且排放组件具有穿过处理腔室的底部形成的同心泵送口。