半导体晶圆背面加工方法,衬底背面加工方法,和辐射固化型压敏粘着片

摘要

本发明涉及半导体晶圆背面加工方法，该方法包括在半导体晶圆的正面施用辐射固化型压敏粘着片，该辐射固化型压敏粘着片包括基材膜和在该基材膜的一侧上布置的压敏粘着剂层，所述半导体晶圆的正面具有凹陷和凸出；以辐射固化型压敏粘着片附着于所述半导体的正面的状态研磨所述半导体晶圆的背面；和放射线照射所述压敏粘着片从而使所述压敏粘着剂层固化，然后使所述经过研磨的半导体晶圆的背面经历表面处理；并涉及用于所述半导体晶圆背面加工方法的辐射固化型压敏粘着片。