相变存储单元、相变存储器件、电子系统及其制造方法

摘要

提供一种相变存储单元。该相变存储单元包括在半导体衬底上形成的层间绝缘层，和在该层间绝缘层中布置的第一和第二电极。在第一和第二电极之间布置相变材料图形。该相变材料图形是未掺杂的GeBiTe层、包含杂质的掺杂的GeBiTe层或包含杂质的掺杂的GeTe层。该未掺杂的GeBiTe层具有在被四个点(A1(Ge21.43，Bi16.67，Te61.9)、A2(Ge44.51，Bi0.35，Te55.14)、A3(Ge59.33、Bi0.5、Te40.17)和A4(Ge38.71，Bi16.13，Te45.16))围绕的范围内的成分比率，该四个点由具有锗(Ge)、铋(Bi)和碲(Te)的顶点的三角形成分图上顶点的坐标表示，并且该掺杂的GeBiTe层包含杂质并具有被四个点(D1(Ge10，Bi20，Te70)、D2(Ge30，Bi0，Te70)、D3(Ge70，Bi0，Te30)和D4(Ge50，Bi20，Te30))围绕的范围内的成分比率，该四个点由三角形成分图上的坐标表示。此外，该掺杂的GeTe层包含杂质并具有对应于点D2和D3之间的直线上的坐标的成分比率。