晶圆光刻掩模和其制造方法与其晶圆光刻方法

摘要

本发明提供一种多项目晶圆(MPW)制造的光刻掩模与其制造方法和其应用所述掩模的晶圆制造方法，所述掩模包含一遮光层和至少一个可透光区域，所述掩模用以选择MPW光罩上项目的图案曝光到晶圆表面光阻层。所述多项目晶圆制造的光刻制程方法主要是利用配置一可以选择MPW光罩曝光成像区域的掩模于一MPW光罩与一光刻光源或所述MPW光罩与晶圆之间的光线行进路线上，用以避免一些在所述MPW光罩上不希望制造的图案在晶圆上被制造出来，因而降低晶圆和光刻制程的浪费。