掺杂有较衬底原子扩散速度更慢原子的隔离层的半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括一重掺杂磷的硅衬底；一位于所述衬底上的隔离层，该隔离层用扩散系数小于硅衬底中磷的扩散系数的掺杂剂原子掺杂；一位于所述衬底上的外延层；以及一位于所述衬底上的器件层，且位于所述外延层及隔离层上。