...
机译:利用三维原子探针技术在金属氧化物半导体场效应晶体管中栅氧化物与硅衬底之间的界面单原子偏析
机译:原子探针层析成像技术研究沟槽型三维金属氧化物半导体场效应晶体管的多晶硅栅极中磷和硼的扩散路径
机译:激光3D原子探针法观察MOSFET中栅极氧化物和Si衬底之间界面处掺杂原子的单层偏析
机译:金属氧化物半导体界面缓冲层在硅衬底上提高绝缘体上极薄的ln_(0.7)Ga_(0.3)As绝缘体上金属氧化物半导体场效应晶体管的电子迁移率
机译:使用Ta / sub 2 / O / sub 5 /栅氧化物的金属氧化物半导体场效应晶体管和门控二极管的制造与表征
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生
机译:利用金属氧化物硅晶体管和脉冲栅极技术研究界面态。第二卷。脉冲场效应测量。