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具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底

摘要

一种具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底,其特征在于,包括如下几部分:一常规SOI可协变衬底,包括起支撑作用的底部Si(100)衬底、中间起解偶合作用的氧化硅绝缘层,顶部起失配应变协调作用的超薄Si单晶可协变层;一具有六方结构的金属铪薄中间层,制备在常规SOI可协变衬底的顶部超薄Si单晶可协变层上,并与之一起构成复合可协变层,共同协调失配应变,从而得到SOI型复合可协变层衬底;一大失配外延层,与Si(100)衬底有较大晶格失配,制备在六方金属铪薄中间层上,并与前两部分一起构成大失配异质结构材料。

著录项

  • 公开/公告号CN101017830A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-08-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200610003529.4

  • 申请日2006-02-09

  • 分类号H01L27/12(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-17 18:59:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-06-17

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-10-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-08-15

    公开

    公开

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