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公开/公告号CN101017830A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-08-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200610003529.4
发明设计人 杨少延;陈涌海;李成明;范海波;王占国;
申请日2006-02-09
分类号H01L27/12(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-17 18:59:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-06-17
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-10
实质审查的生效
2007-08-15
公开
机译: 具有均匀的薄硅层的soi型衬底的制造方法
机译: 一种由soi型衬底制备的,具有均匀薄硅层的工艺
机译: 用作场效应晶体管的衬底具有在涂层和衬底表面之间形成的中间层或不导电层,其中该中间层由金属氧化物或硫化物形成
机译:器件兼容的砷化镓在具有薄(〜80 nm)Si_(1-x)Ge_x台阶缓变缓冲层的硅衬底上的分子束外延生长,用于高κⅢ-Ⅴ型金属氧化物半导体场效应晶体管的应用
机译:通过金属有机化学气相沉积在具有薄的非线性成分分级的Al_xGa_(1-x)N中间层的Si(111)上生长的高质量GaN外延层
机译:具有复合绝缘层的UTBOX SOI衬底
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