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对互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同栅电介质

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摘要

可以利用具有不同栅电介质的NMOS和PMOS晶体管形成互补金属氧化物半导体集成电路。例如，可通过减法工艺形成不同的栅电介质。作为几个实例，这些栅电介质可以在材料、厚度、或者形成技术方面是不同的。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-02-15

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/8238 公开日:20070704 申请日:20050715

发明专利申请公布后的驳回
2007-08-29

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-07-04

公开

公开

1. 对互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同栅电介质 [P] . 中国专利： CN1993824A . 2007-07-04
2. 结合互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同的栅介质 [P] . 中国专利： CN1973368B . 2010.11.17
3. USING DIFFERENT GATE DIELECTRICS WITH NMOS AND PMOS TRANSISTORS OF A COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT [P] . IN293178B . 2018-02-23

机译：互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同的栅极电介质
4. USING DIFFERENT GATE DIELECTRICS WITH NMOS AND PMOS TRANSISTORS OF A COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1761952B1 . 2012-10-24

机译：互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同的栅极电介质
5. Using different gate dielectrics with nmos and pmos transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit [P] . 英国专利： GB2431289B . 2009-03-11

机译：对互补金属氧化物半导体集成电路的nmos和pmos晶体管使用不同的栅极电介质