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调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法

摘要

本发明公开了一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度的方法,其采用在顶针与顶针停止装置之间增加垫片,即可调节顶针与硅片背面的距离,从而避免和减轻异常放电,且操作简单、使用方便。

著录项

  • 公开/公告号CN1970841A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-05-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹NEC电子有限公司;

    申请/专利号CN200510110706.4

  • 发明设计人 王健;

    申请日2005-11-24

  • 分类号C23F4/04;H01L21/3065;

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁纪铁

  • 地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

  • 入库时间 2023-12-17 18:42:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-01-27

    发明专利申请公布后的驳回

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2007-07-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-05-30

    公开

    公开

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