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制备薄层以及将薄层转移到最终衬底上的工艺

摘要

本发明涉及一种制备将要被转移到衬底(8)上的薄层的工艺,所述薄层具有表面拓扑,因此在与由该薄层限定的平面相垂直的方向上具有高度或层级变化,该工艺包括以下步骤:在所述薄层上形成粘合材料层(4),所述粘合材料层的厚度使得能够对所述粘合材料层的表面执行多次抛光步骤以消除任何缺陷或空洞(24、26)或几乎任何缺陷或空洞,以准备通过分子类型的键合与衬底(8)组装起来。

著录项

  • 公开/公告号CN101897001B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-11-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅绝缘体技术有限公司;

    申请/专利号CN200980101341.5

  • 申请日2009-01-16

  • 分类号

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人李辉

  • 地址 法国伯涅尼

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-11-21

    授权

    授权

  • 2011-03-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20090116

    实质审查的生效

  • 2010-11-24

    公开

    公开

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