具有表面下台阶式浮栅的双电可擦可编程只读存储器型存储晶体管

摘要

一种具有成行成列地设置的存储单元(13)的存储器数组(10)，每一存储单元具有双EEPROM(15，115)，其特征在于具有用于集中电场的表面下台阶(53，54)式浮栅。EEPROM只使用一单多晶硅层，其的一部分为每一EEPROM的浮栅(82，84)，而另一部分则为字线(WL1，WL2)。双EEPROM通过具有的扩散的控制线(62，64)和扩散的位线(BL1)共享一表面下的共电极(92)。所述双EEPROM对称于该共电极。