用于半导体浅沟隔离加工的化学机械抛光浆料组合物

摘要

本发明涉及一种用于浅沟隔离的化学机械抛光浆料，更具体地，涉及一种如下组成的化学机械抛光浆料，其包含由去离子水、抛光粒和抛光粒分散剂组成的含水磨料溶液；由羧酸高分子化合物、含氮有机环化合物和胺基化合物组成的含水添加剂溶液。通过在丙烯酸高分子化合物中加入含氮有机环化合物显著地降低氮化物膜的抛光速度，并且通过添加胺基化合物增大氧化硅膜的去除速度，从而可改善该浆料的去除选择性，其中该胺基化合物是一种氧化硅膜的水解促进剂。