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具有新型晶体结构的金属复合氧化物及其作为离子型导体的用途

摘要

本发明披露了具有新型晶体结构的金属复合氧化物,其以条件(a)~(c)为特征:(a)空间群为Fd-3m(no.227);(b)晶胞参数为17.0±1.0;以及(c)在晶胞中由具有0<占有率≤1位置占有率的阳离子占有的晶格位置为{8b(3/8,3/8,3/8)、48f(x,1/8,1/8),其中0.37≤x≤0.43;32e(x,x,x),其中0.20≤x≤0.26;16d(1/2,1/2,1/2)和16c(0,0,0)}。晶胞中的晶格坐标基于空间群No.227、原点选择2(p.701 of“International tablesfor crystallography”,vol.A,5th ed.Kluwer Academic Publishers,2002)。本发明还披露了包括该金属复合氧化物的离子型导体和包括该离子型导体的电化学装置。该金属复合氧化物具有由晶胞内的金属离子位置和金属离子缺陷的排序导致的结晶学特异性而形成易于离子移动的离子通道。因此,根据本发明的金属复合氧化物在需要离子型导体或离子电导性的电化学装置中是有用的。

著录项

  • 公开/公告号CN1934033A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-03-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG化学株式会社;

    申请/专利号CN200580008376.6

  • 发明设计人 洪承泰;卢允镐;李应齐;朴美惠;

    申请日2005-04-21

  • 分类号C01F1/00(20060101);C01G41/00(20060101);

  • 代理机构11225 北京金信立方知识产权代理有限公司;

  • 代理人朱梅;徐志明

  • 地址 韩国首尔

  • 入库时间 2023-12-17 18:25:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-12-23

    授权

    授权

  • 2007-06-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-03-21

    公开

    公开

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