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促进多孔低k膜与下方阻挡层的粘附的技术

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摘要

通过形成比其上方的多孔低k膜碳含量更低、氧化硅含量更高的中间层，改善了多孔低k膜与下方的阻挡层的粘附。粘附层可以单独或者组合使用多种技术来形成。在一个方案中，紧接低k材料的沉积之前，可以通过引入富氧化气体，诸如O

公开/公告号CN1938833A

专利类型发明专利
公开/公告日2007-03-28

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申请/专利权人应用材料公司;
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申请/专利号CN200580010028.2
发明设计人福兰斯马尔·斯楚弥特;亚历山德罗斯·T·迪莫斯;德里克·R·维蒂;海澈姆·穆萨德;安相和;莱斯特·A·德库兹;卡勒德·A·埃彻尔;崔振江;
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申请日2005-03-24
分类号H01L21/316;H01L21/3105;C23C16/40;
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;
代理人赵飞
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 18:25:15

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-05-18

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/316 授权公告日:20101222 终止日期:20150324 申请日:20050324

专利权的终止
2010-12-22

授权

授权
2007-05-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-03-28

公开

公开

1. 促进多孔低k膜与下方阻挡层的粘附的技术 [P] . 中国专利： CN1938833A . 2007-03-28
2. 促进多孔低k膜与下方阻挡层的粘附的方法及互连结构 [P] . 中国专利： CN1938833B . 2010.12.22
3. TECHNIQUES PROMOTING ADHESION OF POROUS LOW K FILM TO UNDERLYING BARRIER LAYER [P] . 韩国专利： KR20070028361A . 2007-03-12

机译：促进多孔低K膜粘附在底层阻挡层上的技术
4. TECHNIQUES PROMOTING ADHESION OF POROUS LOW K FILM TO UNDERLYING BARRIER LAYER [P] . 世界知识产权组织专利： WO2005098925A1 . 2005-10-20

机译：促进多孔低K膜粘附在底层阻挡层上的技术
5. METHODS TO PROMOTE ADHESION BETWEEN BARRIER LAYER AND POROUS LOW-K FILM DEPOSITED FROM MULTIPLE LIQUID PRECURSORS [P] . 韩国专利： KR20110039556A . 2011-04-19

机译：促进阻挡层和多液体前体沉积的多孔低k膜之间粘附的方法