一种改进器件漏电表现的浅沟道隔离形成方法

摘要

本发明公开了一种改进器件漏电表现的浅沟道隔离形成方法，除包括浅沟道隔离刻蚀、去胶、RCA清洗、沟道氧化、高密度等离子体沉积等步骤外，还在去胶后，RCA清洗进行沟道氧化前，进行BOE清洗和氮化硅腐蚀步骤。本发明工艺使STI边角更圆滑，改进STI漏电和电学性能，从而增强器件的可靠性。

说明书

技术领域

本发明涉及一种改进器件漏电表现的浅沟道隔离形成方法。

背景技术

某些器件对漏电有很高的要求，特别是低功耗(Low Power)的器件，而目前常用的器件隔离是浅沟道隔离，叫STI(shallow trench isolation)，通过STI研发时的实验经验，可知STI边角的圆滑程度和漏电有着极强的相关性，越是圆滑的边角带来更小的漏电。

因而可以使STI边角更加圆滑结，从而进一步减少STI的漏电。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种改进器件漏电表现的浅沟道隔离形成方法。

为解决上述技术问题，本发明方法除包括浅沟道隔离刻蚀、去胶、RCA清洗(popular wet chemical clean of Radio Corporation of America即由美国无线电公司发明的一种常用的湿法化学清洗工艺)、沟道氧化、高密度等离子体沉积等步骤外，还在去胶后，RCA清洗进行沟道氧化前，进行BOE(buffer oxide etch，氧化层刻蚀缓冲液)清洗和氮化硅腐蚀步骤。

本发明由于采用对氮化硅适量腐蚀，在随后的沟道氧化中可以使STI的边角充分处于氧化的环境中，使STI边角更圆滑，改进STI漏电和电学性能，从而增强器件的可靠性。

附图说明

图1a是原工艺流程，图1b本发明方法的新工艺流程；

图2是本发明方法的新工艺流程的实际效果示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。

如图1a所示，是通常所使用的工艺流程，包括浅沟道隔离(STI即shallow trench isolation)刻蚀、去胶、RCA清洗(popular wet chemical cleanof Radio Corporation of America即由美国无线电公司发明的一种常用的湿法化学清洗工艺)、沟道氧化(Trench Oxide)、高密度等离子体沉积(HDP deposition，HDP即high density plasma)等步骤。

如图1b所示，是本发明方法的新工艺流程。如图可以看出，本发明工艺与通常的工艺流程区别在于：在沟道氧化(Trench oxide)之前，插入BOE清洗和氮化硅腐蚀。新工艺流程所要注意的是适量氮化硅腐蚀，鉴于氮氧化硅的作用，对氮化硅的腐蚀控制影响较大，故加入浓度为10∶1(氧化层刻蚀缓冲液∶双氧水)的BOE中浸泡20-60秒，以去除氮氧化硅，保证氮化硅在磷酸槽内的腐蚀均匀性；这一步工艺是湿法腐蚀工艺，化学液是磷酸(H3PO4)，因为是湿法工艺，所以腐蚀时是各向同性的，氮化硅的顶部和侧面被各腐蚀150埃左右。该步工艺可以和STI形成之后的氮化硅去除工艺用同一个湿法腐蚀槽，只需要控制好湿法腐蚀的量即可。另外必须指出，BOE清洗加上氮化硅腐蚀对氮化硅的腐蚀量控制在150埃+/-15埃。

综上所述，经过适量的氮化硅腐蚀，在沟道氧化之前，STI的边角处不再被氮化硅所覆盖，这样在接下来的Trench Oxide时，STI边角充分暴露氧化，而没有先前的氮化硅所遮盖。因而STI经氧化后，边角变得更加圆滑，从而使得STI的漏电减少，增强了器件的可靠性。