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化合物半导体衬底、外延衬底、制造化合物半导体衬底和外延衬底的方法

摘要

本发明涉及化合物半导体衬底,其包括由p型化合物半导体构成的衬底;和包含p型杂质原子的物质,该物质结合在所述衬底的表面上。

著录项

  • 公开/公告号CN1877854A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-12-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 住友电气工业株式会社;

    申请/专利号CN200610091740.6

  • 申请日2006-06-12

  • 分类号H01L29/12;H01L31/0256;H01L33/00;H01L21/00;H01L21/302;H01L21/306;

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王海川

  • 地址 日本大阪府大阪市

  • 入库时间 2023-12-17 17:55:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-04-01

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2006-12-13

    公开

    公开

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