福勒－诺德海姆块可变EEPROM存储单元

摘要

一种块可变存储单元(400)具有从浮栅区域(410；520)扩展到漏极区域(402；528)的选择控制栅极(408；524)。所述块可变存储单元包括衬底(401；502)，该衬底还包括源极注入区域(406)、埋层注入区域(404；512)、活动区域(414；514，516)、以及漏极注入区域(402；528)。隧道氧化物层(460；518)位于衬底层上并且被沉积至大约70埃的厚度。选择控制栅极包括位于衬底上的第一栅极氧化物层(450；517)，和在浮栅晶体管区域和活动区域上扩展直至漏极注入区域边缘的第二多晶硅层(408；524)。