一种利用福勒-诺德海姆可编程可擦的低压晶体管闪速电可擦可编程只读存贮器单元

摘要

一单个晶体管电可擦除可编程存储器件，能够利用Fowler-Nordheim隧道效应进行编程和擦除，能够利用低电压进行操作。每个源和漏区的部分和第1栅绝缘层相互重叠，选择多晶硅层间绝缘层使其具有高的介电常数，以便使浮栅、控制栅，源、漏之间的电容耦合率最大。通过首先把单元块的电压升高到高阈值电压和一个一个地降低各选择单元的阈值电压来设置阵列各单元的逻辑状态。