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用于承受应力的系统的衬底及用于在所述衬底上生长晶体的方法

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本发明涉及一种用于晶体生长的支撑件，其包括一成核层(2)、一多晶或多孔缓冲层(4)及一支撑层(6)。

著录项

公开/公告号CN1795538A

专利类型发明专利
公开/公告日2006-06-28

原文格式PDF
申请/专利权人 S.O.I探测硅绝缘技术公司;
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申请/专利号CN200480014590.8
发明设计人法布里斯·勒泰特;布鲁诺·吉瑟兰;奥利维尔·雷萨克;
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申请日2004-05-27
分类号H01L21/20(20060101);H01L21/762(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王允方;刘国伟
地址法国贝尔宁
入库时间 2023-12-17 17:29:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-07-16

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/20 授权公告日:20090527 终止日期:20130527 申请日:20040527

专利权的终止
2009-05-27

授权

授权
2006-08-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-06-28

公开

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