公开/公告号CN1801473A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-07-12
原文格式PDF
申请/专利权人 茂德科技股份有限公司;
申请/专利号CN200510003656.X
发明设计人 邱文斌;
申请日2005-01-07
分类号H01L21/76;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2023-12-17 17:29:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-04-16
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-07-12
公开
公开
机译: 具有相邻的P型掺杂区的集成电路及其形成方法,所述相邻的P型掺杂区具有浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构之间没有衬层。
机译: 具有和相邻的p型掺杂区的集成电路及其形成方法,所述p型掺杂区具有浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构之间没有衬层。
机译: 具有相邻的P型掺杂区的集成电路及其形成方法,所述相邻的P型掺杂区具有浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构之间没有衬层。