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International symposium on ULSI process integration
International symposium on ULSI process integration
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1.
0.13m CMOS technology with optimized poly-Si/NO-oxide gate stack
机译:
0.13M CMOS技术,具有优化的多Si /无氧化物栅极堆叠
作者:
P.
;
A. Naem
;
D. Kerr
;
K. De Meyer
;
L. Deferm
;
V. Koldyaev
;
M. Schaekers
;
G. Badenes
;
P. Jansen
;
S. Kubicek
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
2.
Mainstreaming SOI Technology for High Performance CMOS
机译:
高性能CMOS主流化SOI技术
作者:
Ghavam G. Shahidi
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
3.
SUPER SELF-ALIGNED PROCESSING FOR SUB 0.1 μm MOS DEVICES USING SELECTIVE Si_(1-x)Ge-x CVD
机译:
使用选择性Si_(1-x)Ge-x CVD的Sub0.1μmMOS器件的超级自对准处理
作者:
Junichi MUROTA
;
Takashi MATSUURA
;
Masao SAKURABA
;
Chunyang DENG
;
Yuji YAMAMOTO
;
Takaaki NODA
;
Atsushi MORIYA
;
Tadayoshi YAMASHIRO
;
Toshifumi KIKUCHI
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
4.
POLY GATE DEPLETION EFFECT ON DEEP SUB-MICROMETER CMOS
机译:
深层亚微米CMOS的多栅极耗尽效应
作者:
Youn
;
W. Tonti
;
R. Rengarajan
;
Liem Do Thanh
;
Yujun Li
;
Wayne Berry
;
Young Limb
;
Qiuyi Ye
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
5.
A PHYSICAL MODEL OF EFFECTIVE OXIDE NITRIDE OXIDE THICKNESS CHANGE DUE TO POLY DEPLETION FOR INTER-POLY CAPACITORS
机译:
多相电容器耗尽引起的有效氧化物氮化物氧化物厚度变化的物理模型
作者:
Roy A. Hensley
;
Jack G. Qian
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
6.
METHOD OF REDUCING THE PATTERN EFFECTS ON B PENETRATION AND TED EFFECT BY IN-SITU POLY DEPOSITION AT WAFER BACKSIDE BEFORE RAPID THERMAL PROCESSING
机译:
通过在快速热处理之前通过原位多沉积降低B渗透和TED效应对B渗透和TED效应的方法
作者:
B.K. Liew
;
C.H. Diaz
;
H.L. Hwang
;
S.H. Chen
;
B.L Lin
;
J.H. Lee
;
Jiaw-Ren Shih
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
7.
TRENDS IN SiGe PROCESS INTEGRATION VOLUME
机译:
SiGe过程集成量的趋势
作者:
S.Su
;
D.Coolbaugh
;
M.Zierak
;
R.Johnson
;
D.Ahlgren
;
A.Joseph
;
R.Groves
;
J.Malinowski
;
G.Freeman
;
S.A.St Onge
;
J.Dunn
;
S.Subbanna
;
D.Harame
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
8.
CRITICAL STATES OF STRESS EVOLUTION IN SILICON STRUCTURES OF ULSI WITH SHALLOW TRENCH ISOLATION
机译:
浅沟渠隔离硅结构中硅结构应力演化的关键状态
作者:
R. Sundaresan
;
C. H. Gan
;
E. Johnson
;
N. Balasubramanian
;
I. V. Peidous
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
9.
MECHANICAL STRESS CONTROL FOR HIGHLY RELIABLE SHALLOW TRENCH STRUCTURES
机译:
高可靠性浅沟槽结构的机械应力控制
作者:
N
;
Shuji Ikeda
;
Norio Suzuki
;
Norio Ishitsuka
;
Hideo Miura
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
10.
PRECISION RESISTOR INTEGRATION INTO A SUBMICRON SILICIDED CMOS TECHNOLOGY
机译:
精密电阻集成到亚微米硅化CMOS技术中
作者:
Paul C. Jamison
;
Frank Grellner
;
Glen L. Miles
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
11.
PROCESS INTEGRATION EVOLUTION IN MANUFACTURING TECHNOLOGIES FOR FLASH MEMORIES
机译:
闪存制造技术的过程集成演变
作者:
C
;
A. Rebora
;
C. Clementi
;
G. De Santi
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
12.
FINE/HIGH ASPECT RATIO SiO_2 HOLE AND GAP ETCHING
机译:
精细/高纵横比SiO_2孔和间隙蚀刻
作者:
Takanori Ichiki
;
Yuzuru Takamura
;
Yannick Feurprier
;
Yasuhiko Chinzei
;
Hidetaka Oshio
;
Makoto Ogata
;
Yasuhiro Horiike
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
13.
Foundry Business and Technology Development Challenges
机译:
铸造业务和技术发展挑战
作者:
F. C. Tseng
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
14.
SUB-MICRON THIN FILM TRANSISTORS WITH METAL INDUCED LATERAL CRYSTALLIZATION
机译:
具有金属诱导横向结晶的子微米薄膜晶体管
作者:
Krishna C. Saraswat
;
Amol R. Joshi
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
15.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF ULTRATHIN2.5NM GATE QUALITY LPCVD NITRIDE/OXIDE FILMS
机译:
超薄的电气特性2.5nm栅极质量LPCVD氮化物/氧化膜
作者:
Bob Ogle
;
Khaled Ahmed
;
Effiong Ibok
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
16.
INTEGRATION OF RAPID THERMAL PROCESSING INTO DRAM TECHNOLOGY
机译:
快速热加工集成DRAM技术
作者:
Ronald A. Weimer
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
17.
THE INTEGRATION OF SHALLOW TRENCH ISOLATION (STI) FOR HIGH DENSITY DRAM WITH 0.18m TECHNOLOGY AND BEYOND
机译:
浅沟渠隔离(STI)对高密度DRAM的整合,具有0.18M技术及超越
作者:
M. McQ
;
L.C. Tran
;
L. Somerville
;
R. Lane
;
S. Batra
;
S. Sharan
;
K. Robinson
;
M. McQueen
;
P. Pan
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
18.
JOHN BARDEEN AND TRANSISTOR PHYSICS
机译:
John Bardeen和晶体管物理学
作者:
Howard R. Huff
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
19.
FEDRAM: A CAPACITOR-LESS FERROELECTRIC DRAM CELL
机译:
FEDRAM:一种电容器的铁电DRAM细胞
作者:
Jin-Ping Han
;
Jin-Ping Han
;
T.P. Ma
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
20.
SHEET RESISTANCE CONTROL IN A COPPER DUAL DAMASCENE INTEGRATION SCHEME
机译:
铜双镶嵌集成方案中的薄层电阻控制
作者:
Gerald R. Matusiewicz
;
Karl-Heinz Allers
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
21.
PROCESS INTEGRATION TRENDS FOR EMBEDDED DRAM
机译:
嵌入式DRAM的流程集成趋势
作者:
H.
;
H. Ishiuchi
;
T.Yoshida
;
H. Koike
;
H. Takato
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
22.
'DEEP' JUNCTION INTEGRATION FOR IMPROVED PERFORMANCE AND MANUFACTURABILITY
机译:
“深度”结合集成,提高性能和可制造性
作者:
Jim
;
Dirk Wristers
;
Jim Buller
;
Jon Cheek
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
23.
AN ADVANCED WELL STRUCTURE TO IMPROVE LATCH-UP IMMUNITY FOR CMOS TECHNOLOGY
机译:
一种提高CMOS技术的闩锁免疫的先进井结构
作者:
N.
;
S.-F. Huang
;
N.Strelkova
;
H. Puchner
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
24.
LOW TEMPERATURE PLASMA TREATMENT OF Ta2O5 FILMS FOR W ELECTRODE METAL-INSULATOR-METAL(MIM) CAPACITOR
机译:
用于W电极金属 - 绝缘金属(MIM)电容器的Ta2O5薄膜的低温等离子体处理
作者:
JA-
;
CHUNG-TAE KIM
;
SAM-DONG KIM
;
SI-BUM KIM
;
JA-CHUN KU
;
SU-JIN OH
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
25.
Silicon Epitaxy and Its Application to RF IC's
机译:
硅外延及其在RF IC的应用
作者:
H.
;
H. Iwai
;
Y. Katsumata
;
H. S. Momose
;
T. Morimoto
;
T. Yoshitomi
;
H. Kimijima
;
E. Morifuji
;
N. Sugiyama
;
S. Nakamura
;
H. Sugaya
;
H. Naruse
;
T. Ohguro
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
26.
Overview of FeRAM Technology for High Density Applications
机译:
高密度应用的FERAM技术概述
作者:
CARLOS MAZURE
;
VOLKER WEINRICH
;
MANUELA SCHIELE
;
MARCUS KASTNER
;
IGOR KASKO
;
BARBARA HASLER
;
RENATE BERGMANN
;
WALTER HARTNER
;
GUeNTHER SCHINDLER
;
CHRISTINE DEHM
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
27.
ISSUES IN LOW K DIELECTRIC INTEGRATION
机译:
低k介电集成的问题
作者:
Ronald Goldblatt
;
Vincent McGahay
;
Charles Davis
;
Jeffrey Hedrick
;
Sampath Purushothaman
;
Thomas Shaw
;
Jack Hay
;
James G. Ryan
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
28.
CHALLENGE OF PROCESS INTEGRATION IN SILICON-BASED CMOS TECHNOLOGY
机译:
基于硅的CMOS技术过程集成的挑战
作者:
Yoshio Nishi
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
29.
Effect of High Temperature RTA on the Oxygen Precipitate Formation and the COP Dissolution
机译:
高温RTA对氧气沉淀形成及COP溶解的影响
作者:
H.K
;
J.M Park
;
K.B Ryu
;
K.D Kwack
;
G.S Lee
;
H.K Park
;
J.G Park
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
30.
AN IMPROVED AND MANUFACTURABLE PROCESS FOR FABRICATING ROBUST MOSFETS WITH SELF-ALIGNED T- SHAPED GATE AND AIR SPACER (STAIR)
机译:
一种改进和可制造的制造具有自对准T形栅极和空气间隔件(楼梯)的鲁棒MOSFET的制造方法
作者:
Tiao-Yuan Huang
;
Tien-Sheng Chao
;
Chih-Chung Chiou
;
Wen-Fa Wu
;
Raymond Lin
;
Meng-Fan Wang
;
Horng-Chih Lin
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
31.
A NEW DUMMY-FREE SHALLOW TRENCH ISOLATION CONCEPT FOR MIXED-SIGNAL APPLICATIONS
机译:
用于混合信号应用的新无假浅沟隔离概念
作者:
R.
;
L. Deferm
;
J. Grillaert
;
N. Heylen
;
C. Perello
;
E. Vandamme
;
E. Augendre
;
R. Rooyackers
;
G. Badenes
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
32.
A WSi/WSiN/Poly:Si Gate CMOS Technology for 1.0 V DSPs
机译:
WSI / WSIN / POLY:SI门CMOS技术为1.0 V DSP
作者:
R. Freyman
;
B. Bocian
;
R. Kohler
;
H. Vaidya
;
R.Singh
;
R.Ashton
;
J.Bevk
;
S.Kuehne
;
J.McKinley
;
P.K.Roy
;
S.Merchant
;
J.R.Radosevich
;
I.C.Kizilyalli
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
33.
A NOVEL METHOD FOR SELECTIVE OXIDATION OF W/WN_x/Poly GATE STACK USING RTP ISSG TECHNIQUE
机译:
使用RTP ISSG技术选择性氧化W / WN_X / poly栅极堆栈的新方法
作者:
Gary Miner
;
Dave Lopes
;
Ben Ng
;
Hyun Sung Joo
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
34.
COP Induced Isolation Failure in CZ Si Wafers
机译:
COP诱导CZ SI晶片中的隔离衰竭
作者:
K.D.K
;
T.H.Shim
;
J.M.Park
;
J.G.Park
;
K.D.Kwack
;
G.S.Lee
会议名称:
《International symposium on ULSI process integration》
|
1999年
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