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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法

摘要

一种1.3微米高密度量子点结构,其特征在于,包括:一砷化镓过渡层;一第一砷化镓势垒层,该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上;一砷化铟自组织量子点,该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上;一铟镓砷覆盖层,该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上;一第二砷化镓势垒层,该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上;一砷化镓覆盖层,该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-05-28

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2006-08-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-06-14

    公开

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