1.3μm帯量子ドットDFBレーザ～高密度量子ドットと縦型グレーティングの導入～

摘要

今回，本研究で実現された高密度かつ高均一な量子ドット活性層を用いたレーザを製作した．まず比較のため，ハイメサ構造とローメサ構造のストライプレーザ特性を報告した．ハイメサ構造においては低しきい値動作，ローメサ構造においては高スロープ効率を得た．さらにHEM構造を採用したDFBレーザを製作し，2モードレーザ発振を得た．また，発振波長の温度依存性からもDFB特性と同程度の0.077nm/Kの値を得た．さらにしきい値電流23mA，スロープ効率0.04W/Aと比較的良好な値が得られた．以上の結果を表1に示す．