公开/公告号CN1755940A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-04-05
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN200410066765.1
发明设计人 杨海远;
申请日2004-09-28
分类号
代理机构上海新高专利商标代理有限公司;
代理人楼仙英
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
入库时间 2023-12-17 17:08:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-02-11
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-05-31
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-04-05
公开
公开
机译: 界面层减少方法,高介电常数栅极绝缘膜的形成方法,高介电常数栅极绝缘膜,高k栅极氧化膜以及具有高介电常数栅极氧化层的晶体管
机译: 在栅极氧化层上具有减小的电场的晶体管结构及其制造方法
机译: 在栅极氧化层上具有减小的电场的晶体管结构及其制造方法