埋置位线非易失浮动栅存储单元、其阵列及其制造方法

摘要

埋置位线读出/程序非易失存储单元及阵列能够获得高密度。单元和阵列制作在具有多个间隔开的沟槽的半导体衬底上，沟槽间有平面表面。每个存储单元具有用于在其上存储电荷的浮动栅。单元具有间隔开的源区/漏区，它们之间有沟道。源区/漏区之一位于沟槽的底壁内。浮动栅在沟槽内，在沟道的第一部分上面，与沟槽的侧壁间隔开。栅电极控制着沟道的第二部分的导通，第二部分在衬底的平面表面上。另一源区/漏区在衬底平面表面上的衬底中。可独立控的控制栅也在沟槽内，它与浮动栅绝缘并与其容性耦合。源、漏和控制栅基本上相互平行，而栅电极基本上垂直于源/漏/控制栅。