首页> 中国专利> 用依赖晶体取向的各向异性蚀刻在硅片上进行薄膜体声谐振器的制作

用依赖晶体取向的各向异性蚀刻在硅片上进行薄膜体声谐振器的制作

摘要

在基底上形成的薄膜体声谐振器包括压电材料层,它具有夹在第一导电和第二导电层间的第一主表面和第二主表面。在其上形成薄膜体声谐振器的基底中有一个开口,该开口露出薄膜体声谐振器的第一导电层。开口基本上是平行四边形形状,具有第一对平行边和第二对平行边。第一对平行边之一与第二对平行边之一构成不是90度的角。

著录项

  • 公开/公告号CN1685609A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-10-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN03822845.9

  • 申请日2003-09-17

  • 分类号H03H3/02;H03H9/17;

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人李玲

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-18 16:07:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-12-07

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H03H3/02 公开日:20051019 申请日:20030917

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2005-12-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-10-19

    公开

    公开

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