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一种改善碳纳米管薄膜冷阴极场发射均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种改善碳纳米管薄膜冷阴极场发射均匀性的方法,其技术特征是在真空环境下,以碳纳米管薄膜作冷阴极,以导电物作阳极,两者以预定间隔固定彼此相对位置;在阳极加正电压,产生场发射电流直至达到熔断碳纳米管薄膜表面突起的电流恒定值,并以定值时间持续。使用本发明的方法制成的碳纳米管薄膜冷阴极可以降低阴极的工作电压并有效地避免碳纳米管阴极与其他电极短路,其广泛应用于场发射显示器、冷阴极光源等。

著录项

  • 公开/公告号CN1688011A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-10-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山大学;

    申请/专利号CN200510034772.8

  • 发明设计人 许宁生;佘峻聪;邓少芝;陈军;

    申请日2005-05-25

  • 分类号H01J9/02;

  • 代理机构广州新诺专利商标事务所有限公司;

  • 代理人华辉

  • 地址 510275 广东省广州市新港西路135号

  • 入库时间 2023-12-17 16:38:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-02-10

    发明专利申请公布后的驳回

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2005-12-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-10-26

    公开

    公开

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