机译:用于it的电子发射装置及其制造方法,用于其的冷阴极场电子器件及其制造方法,用于其的冷阴极场电子发射显示装置及其制造方法以及用于蚀刻薄膜的方法
公开/公告号JP2003115259A
专利类型
公开/公告日2003-04-18
原文格式PDF
申请/专利权人 SONY CORP;
申请/专利号JP20010307409
发明设计人 NODA MAKOTO;YAGI TAKAO;
申请日2001-10-03
分类号H01J9/02;H01J1/304;H01J31/12;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 00:16:39