低噪声和高性能大规模集成器件、布局以及制造方法

摘要

公开一种半导体器件，其中NMOS器件和PMOS器件被用于以不同的模式运行、如模拟和数字模式，对特定的器件，依据其所需的工作模式选择性地应用应力工程。也就是说，适当的机械应力(即拉伸或压缩应力)可被施加到器件和/或从器件(即NMOS和/或PMOS器件)上去除，而这不仅基于器件的导电类型(即n型或p型)，也基于其预期的工作应用，例如模拟/数字、低电压/高电压、高速/低速、噪声敏感/噪声不敏感等。结果单个器件的性能基于其工作模式而被优化。例如，机械应力可施加到以高速数字设定工作的器件，而以模拟或RF信号设定工作的器件不施加机械应力，因为在该器件中通过所加应力引入的如闪变效应噪声的电噪声会劣化性能。