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化学气相成长装置及膜成长方法

摘要

一种化学气相成长装置及膜成长方法。提供可能防止微粒粘附于衬底,成长高质量薄膜的化学气相成长装置。其包括:真空处理室(4),使复数枚衬底(3)的薄膜成长面朝下的基座(2),配置在基座(2)上方的加热器(11),将阻挡气体供给基座(2)的上表面的第1阻挡气体供给部分(9),将阻挡气体供给加热器(11)的上表面的第2阻挡气体供给部分(10),由第1阻挡气体供给部分(9)及第2阻挡气体供给部分(10)供给的阻挡气体各自独立控制其流量。通过适当地设定从第1阻挡气体供给部分(9)及第2阻挡气体供给部分(10)供给的阻挡气体的流量比,及阻挡气体的供给量和原料气体的供给量比,能够形成抑制了微粒粘附的膜。

著录项

  • 公开/公告号CN1652301A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 松下电器产业株式会社;

    申请/专利号CN200510005861.X

  • 发明设计人 田中雅彦;

    申请日2005-01-27

  • 分类号H01L21/205;H01L21/285;C23C16/00;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汪惠民

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2023-12-17 16:21:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-07-08

    专利权的视为放弃

    专利权的视为放弃

  • 2007-02-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-08-10

    公开

    公开

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